Sitemap

Semicorex 8 düymlük SiC epitaksial vafli elan edir | 3C-SiC Wafer istehsalına başlayın | Konsol avarları nədir? | SiC ilə örtülmüş qrafit həssasları hansılardır? | C/C kompozit nədir? | 850V Yüksək Güclü GaN HEMT Epitaksial Məhsullarını buraxdı | İzostatik qrafit nədir? | PVT metodu ilə yüksək keyfiyyətli SiC kristal artımı üçün məsaməli qrafit | Qrafit qayığın əsas texnologiyasının tətbiqi | Qrafikləşdirmə nədir? | Qallium oksidi (Ga2O3) ilə tanışlıq | Qallium oksidi vaflisinin tətbiqi | Gallium Nitride (GaN) Tətbiqlərinin Üstünlükləri və Dezavantajları | Silikon karbid (SiC) nədir? | Silikon karbid substratının istehsalının çətinlikləri hansılardır? | SiC örtüklü qrafit həssaslığı nədir? | İstilik sahəsinin izolyasiya materialı | İlk 6 düymlük Qallium Oksid substratı sənayeləşdirmə şirkəti | Məsaməli qrafit materiallarının SiC kristalının böyüməsi üçün əhəmiyyəti | Yarımkeçiricilər istehsalında silikon epitaksial təbəqələr və substratlar | CVD Əməliyyatlarında Plazma Prosesləri | SiC Crystal Growth üçün məsaməli qrafit | SiC Boat nədir və onun müxtəlif istehsal prosesləri hansılardır? | TaC ilə örtülmüş qrafit komponentlərinin tətbiqi və inkişafı problemləri | Silikon Karbid (SiC) Kristal Artırma Ocağı | Silikon karbidin qısa tarixi və silisium karbid örtüklərinin tətbiqi | Optik lif sənayesində silisium karbid keramikasının üstünlükləri | SiC artımı üçün əsas material: Tantal karbid örtüyü | Quru aşındırma və yaş aşındırmanın müsbət və mənfi cəhətləri hansılardır? | Epitaksial və diffuz gofret arasındakı fərq nədir | Gallium Nitride Epitaksial Gofretlər: İstehsal Prosesinə Giriş | SiC Boats vs. Kvars Boats: Yarımkeçiricilər İstehsalında Hazırkı İstifadə və Gələcək Trendlər | Kimyəvi Buxar Çöküntüsünün Anlanması (CVD): Hərtərəfli Baxış | Yüksək Təmizlikli CVD Qalın SiC: Material Artımı üçün Proses Insights | Gofretlə İşlənmədə Elektrostatik Çak (ESC) Texnologiyasını Demistifying | Silikon karbid keramika və onların müxtəlif istehsal prosesləri | Yüksək Saflıqda Kvars: Yarımkeçiricilər Sənayesi üçün Vazgeçilməz Materialdır | Silikon karbid keramika üçün 9 sinterləmə texnikasının icmalı | Silikon Karbid Keramika üçün İxtisaslaşdırılmış Hazırlıq Texnikaları | SiC Seramik Hazırlanması üçün Təzyiqsiz Sinterləmə Niyə Seçilir? | Yarımkeçirici və Fotovoltaik Sektorlarda SiC Seramikasının Tətbiqləri və İnkişaf Perspektivlərinin Təhlili | Silikon karbid keramika necə tətbiq olunur və onun aşınma və yüksək temperatura davamlılıqda gələcəyi nədir? | Reaksiya ilə sinterlənmiş SiC keramika və onların xassələri üzrə tədqiqat | MOCVD Proseslərində SiC Örtülü Suseptorlar | Xüsusi Qrafit üçün Semicorex texnologiyası | Yarımkeçiricilər sahəsində SiC və TaC örtüklərinin tətbiqi nədir? | PECVD Prosesi | Yüksək Saflıqda Silisium Karbid Tozunun sintezi | İerarxik məsaməli karbon materialları: sintez və giriş | Dummy Gofret nədir? | Şüşə bənzər karbon örtük nədir

SiC epitaksi nədir? | Epitaksial gofret prosesi nədir? | Epitaksial vaflilər nə üçün istifadə olunur? | MOCVD sistemi nədir? | Silikon karbidin üstünlüyü nədir? | Yarımkeçirici nədir? | Yarımkeçiriciləri necə təsnif etmək olar | Çip çatışmazlığı problem olmaqda davam edir | Yaponiya bu yaxınlarda 23 növ yarımkeçirici istehsal avadanlıqlarının ixracını məhdudlaşdırdı | SiC vafli epitaksi üçün CVD prosesi | Çin ən böyük yarımkeçirici avadanlıq bazarı olaraq qaldı | CVD sobasının müzakirəsi | Epitaksial təbəqələr üçün tətbiq ssenariləri | TSMC: Gələn il 2nm proses risk sınaq istehsalı | Yarımkeçirici layihələri üzrə vəsait | MOCVD əsas avadanlıqdır | SiC örtüklü qrafit həssas bazarının əhəmiyyətli böyüməsi | SiC epitaksial prosesi nədir? | Niyə SiC ilə örtülmüş qrafit reseptorlarını seçirsiniz? | P tipli SiC vafli nədir? | SiC keramikalarının müxtəlif növləri | Koreya yaddaş çipləri kəskin şəkildə düşdü | SOI nədir | Cantilever Paddle bilmək | SiC üçün CVD nədir | Tayvanın PSMC şirkəti Yaponiyada 300 mm-lik vafli fab tikəcək | Yarımkeçirici istilik elementləri haqqında | GaN Sənaye Tətbiqləri | Fotovoltaik Sənayenin İnkişafına Baxış | Yarımkeçiricilərdə CVD prosesi nədir? | TaC örtüyü | Maye faza epitaksiyası nədir? | Niyə maye fazalı epitaksiya metodunu seçməlisiniz? | SiC kristallarında qüsurlar haqqında - Micropipe | SiC kristallarında dislokasiya | Quru aşındırma və yaş aşındırma | SiC Epitaksiyası | İzostatik qrafit nədir? | İzostatik qrafit istehsalı prosesi necədir? | Diffuziya sobası nədir? | Qrafit çubuqları necə istehsal etmək olar? | Məsaməli qrafit nədir? | Yarımkeçirici sənayesində tantal karbid örtükləri | LPE avadanlığı | AlN kristal böyüməsi üçün TaC örtüklü pota | AlN kristallarının böyüməsi üsulları | CVD üsulu ilə TaC örtüyü | Temperaturun CVD-SiC örtüklərinə təsiri | Silikon karbid qızdırıcı elementlər | Kvars nədir? | Yarımkeçirici tətbiqlərdə kvars məhsulları | Fiziki Buxar Nəqliyyatının (PVT) tətbiqi | Qrafitin qəliblənməsinin 3 üsulu | Yarımkeçirici silikon monokristallarının istilik sahəsində örtülməsi | GaN vs SiC | Siz silisium karbidi üyüdə bilərsinizmi? | Silikon Karbid Sənayesi | Qrafit üzərində TaC örtüyü nədir? | Müxtəlif strukturlara malik SiC kristalları arasındakı fərqlər | Substrat Kəsmə və Taşlama Prosesi | TaC örtüklü qrafit komponentlərinin tətbiqi | MOCVD-ni bilmək | Sublimasiya SiC artımında dopinq nəzarəti | Elektrik sənayesində SiC-nin üstünlükləri | Silikon Karbid (SiC) Güc Cihazı Bazarının Artması və Görünüşü | GaN bilmək | Yarımkeçirici cihazlarda epitaksial təbəqələrin həlledici rolu | Epitaksial təbəqələr: Qabaqcıl yarımkeçirici cihazların təməli | SiC tozunun hazırlanması üsulu | Silikon karbid ionunun implantasiyası və yumşaldılması prosesinə giriş | Silikon karbid tətbiqləri | Silikon Karbid (SiC) Substratlarının Əsas Parametrləri | SiC substratının emalının əsas mərhələləri | Substrat və Epitaksiya: Yarımkeçirici İstehsalında Əsas Rollar | Üçüncü Nəsil Yarımkeçiricilərə Giriş: GaN və Əlaqədar Epitaksial Texnologiyalar | GaN hazırlanmasında çətinliklər | Silicon Carbide Wafer Epitaxy Technology | Silikon Karbid Güc Cihazlarına Giriş | Yarımkeçiricilər Sənayesində Quru Aşınma Texnologiyasını Anlamaq | Silikon karbid substratı | SiC substratlarının hazırlanmasında çətinlik | Tam Yarımkeçirici Cihaz İstehsal prosesini başa düşmək | Yarımkeçiricilərin istehsalında kvarsın müxtəlif tətbiqləri | SiC və GaN Güc Cihazlarında İon İmplantasiyası Texnologiyasının Çətinlikləri | İon implantasiyası və diffuziya prosesi | CMP Prosesi nədir | CMP Prosesini necə etmək olar | Niyə Gllium Nitride (GaN) Epitaksi GaN substratında böyümür? | Oksidləşmə prosesi | Qüsursuz epitaksial böyümə və uyğun olmayan dislokasiyalar | 4-cü Nəsil Yarımkeçiricilər Qallium Oksidi/β-Ga2O3 | Elektrikli nəqliyyat vasitələrində SiC və GaN tətbiqi | Yarımkeçiricilər Sənayesində SiC Substratların və Kristal Artımının Kritik Rolu | Silikon Karbid Substrat Əsas Proses axını | SiC kəsmə | Silikon vafli | Substrat və epitaksiya | Monokristal silikon və polikristal silisium | 3C-SiC-nin heteroepitaksisi: Baxış | İncə film böyümə prosesi | Qrafitləşmə dərəcəsi nədir? | SiC Ceramics: Yarımkeçiricilər İstehsalında Yüksək Dəqiqlikli Komponentlər üçün Vazgeçilməz Materialdır | GaN Tək Kristal | GaN kristallarının böyüməsi metodu | Qrafitin SiC yarımkeçiricisində təmizlənməsi texnologiyası | Silikon Karbid Kristal Artırma Ocaqlarında Texniki Problemlər | Gallium Nitride (GaN) Substratın hansı tətbiqləri? | Karbon əsaslı material səthlərində TaC örtüklərinin tədqiqat tərəqqisi | İzostatik Qrafit İstehsal Texnologiyası | Termal sahə nədir? | GaN və SiC: Birgə yaşamaq və ya Əvəzetmə? | Elektrostatik Chuck (ESC) nədir? | Silikon və Silikon Karbid Gofretləri Arasındakı Fərqləri Anlamaq | Silikon Nitrid nədir | Yarımkeçiricilərin emalında oksidləşmə | Monokristal Silikon İstehsalı | Infineon Dünyanın İlk 300 mm Güclü GaN Waferini təqdim etdi | Crystal Growth Fırın Sistemi nədir | n-tipli 4H-SiC kristallarında elektrik müqavimətinin paylanması üzrə tədqiqat | Niyə Yarımkeçirici İstehsalında Ultrasonik Təmizləmədən İstifadə Edilir? | Termal tavlama nədir | İlkin Artım Fazasında Temperatur Qradientinə Nəzarət Yolu ilə Yüksək Keyfiyyətli SiC Kristal Artımına nail olmaq | Çip İstehsalı: İncə Film Prosesləri | Seramik elektrostatik çubuqlar əslində necə istehsal olunur? | Müasir Yarımkeçirici İstehsalında Tavlama Prosesləri | Niyə Yarımkeçiricilər Sənayesində Yüksək İstilik Keçirici SiC Keramikaya Tələb Artır? | Silikon materialı təqdim edirik | SiC Tək Kristal Substrat Emalı | Silikon Vaflilərdə Kristal Orientasiyası və Qüsurları | Silikon vaflilərin səthinin cilalanması | GaN-in Ölümcül Qüsuru | Silikon vafli səthinin son cilalanması | Silikon karbid necə istehsal olunur? | Wolfspeed Alman Yarımkeçiricilər Zavodunun Tikinti Planlarını dayandırır | Elektrostatik Chuck (ESC) quruluşu | Aşağı temperaturda plazma aşındırma nədir? | Homoepitaksiya və Heteroepitaksiya Sadəcə izah olunur | Karbon lifli kompozitin tətbiqi | Silikon yarımkeçirici çiplərin gələcək perspektivlərinin araşdırılması | SK Siltron ABŞ Energetika Departamentindən 544 milyon dollarlıq kreditlə SiC vafli istehsalını genişləndirir | GaN tətbiqi | Dummy Wafer nədir | Silikon karbid vafli emalında qüsurların aşkarlanması | Yarımkeçirici dopinq prosesi | Süni intellekt və fizikanın birləşməsi: Nobel mükafatının arxasında CVD texnoloji innovasiyası | Aşındırma prosesinin parametrləri | Qrafitləşdirmə və Karbonlaşma arasındakı fərq nədir | Təxminən 840 milyon dollar: Onsemi SiC şirkətini alır | Yarımkeçiricidəki vahid: Angstrom | Çip İstehsalında SiGe: Peşəkar Xəbər Hesabatı | SiGe və Si selektiv aşındırma texnologiyası | PVT üsulu ilə AlN kristal artımı | Qızartma | Yarımkeçirici İon İmplantasiya Texnologiyası nədir? | SiC İstehsalında Hansı Problemlər Çəkilir? | Gofret istehsalı | Czochralski üsulu | 12 düymlük silisium karbid substratlarının tətbiqi perspektivləri | Silikon karbidin tətbiqi | Tac örtüyünün SIC vahid bülluralmasında üstünlükləri | Yarımkeçirici soba dizaynında qabaqcıl materiallar 3 kritik problemləri necə həll edir | Silikon karbid keramik membranlarının tətbiqləri nələrdir | İntrinsik silikon | Silikon Carbide Seramik Membran: Müxtəlif qeyri-üzvi membranları əvəz etməsi gözlənilən yeni bir ayrılma membranı | TAC, SIC kristal böyüməsində çarpped | Elektron dərəcəli silikon karbid tozu | Aln qızdırıcısı nədir | Yarımkeçirici keramika hissələri | LPE, p-tipli 4h-sic tək kristal və 3C-sic tək kristal hazırlamaq üçün vacib bir üsuldur | Seramik qızdırıcılar