Pbn çarxlar

Semikorex pirolitik bor nitridi pbn çarxları, yarımkeçirici istehsal, büllural böyümə və vakuum tətbiqləri kimi sənayedə yüksək temperatur və ultra təmiz proseslərin ciddi tələblərinə cavab vermək üçün hazırlanmış dəqiq mühəndisləşdirilmiş komponentlərdir. Kimyəvi buxarlanma (CVD) prosesi ilə hazırlanan PBN çarpayılar, üstün təmizlik, müstəsna istilik sabitliyi və üstün kimyəvi inertless, qabaqcıl material mühəndisliyində seçim materialını təqdim edir.

Bor Nitrite, kvarsın, lakin istilik keçiriciliyi ilə müqayisə edilə bilən bir istilik genişləndirmə əmsalı olduğundan, ən sonuncu dəfə 10 dəfədir, bu, sürətli temperatur dəyişiklikləri səbəbindən çatlama riskini azalda bilər və heç bir problem olmadan bir neçə dəfə sökülə bilər. Bundan əlavə, Boron nitridi turşular, qələvilər, şüşə və əksər metallarla reaksiya vermir və aşağı mexaniki gücü, qrafitdən bir qədər yüksəkdir, lakin yüksək temperaturda yük altında yumşalmır və ümumi metal emal maşınları tərəfindən işlənə bilər. Buna görə, ərimə və buxarlanan metallar üçün polad tökmə üçün çarpaz, gəmi, maye metal çatdırılma borusu və qəlib kimi istifadə üçün həqiqətən uyğundur.

Ümumiyyətlə, Boron tərkibli qaz (BCL3 və ya B2H6) istifadə edərək kimyəvi buxar doğulması tərəfindən hazırlanmışdır, lakin B2H6 yüksək zəhərli olduğu üçün BCL3, BCL3 də xammal kimi istifadə olunur. Bor tərkibli qaz piroliz (1500 ~ 1800 ℃) keçir və qatı bor nitridi meydana gətirmək üçün yüksək temperaturlu reaksiya otağında NH3 ilə reaksiya verir. Çünki piroliz reaksiya zamanı baş verir, buna da də deyilirpirolitik bor nitridiÇarpaz (ümumiyyətlə pbn çarxları kimi tanınır).

Materialın artım prosesi "düşən qar" a bənzəyir, yəni reaksiya içərisində olan altıbucaqlı qar yağışı daim qızdırılan qrafit substratına (əsas qəlib) üzərində yığılır. Vaxt keçdikcə, yığma təbəqəsi bir pbn qabığını meydana gətirir. Demolding müstəqil, saf PBN komponentidir və pbn örtük üzərində qalır. PBN çarxları ənənəvi isti düymələrin çəkiliş prosesindən keçmək lazım olduğundan və hər hansı bir sinekçi agent əlavə etmək lazım deyil, çox yüksək bir saflıq (99.99% -dən çox) və işləmə temperaturu, atmosferin qorunması altında əməliyyat temperaturu 2100 ° C-ə qədər (adətən azot və ya argon) çata bilər. Əsasən buxarlanma / molekulyar şüa epitaxiyası (MBE) / GAAS kristal böyüməsi və digər məqsədlər.