Semicorex, yarımkeçirici istehsalının Silikon Karbidlə örtülmüş Qrafit, Silikon Karbid Keramika, MOCVP sahələrinə diqqət yetirərək, Silikon Karbid SiC ilə örtülmüş çəllək tutucusu, dəqiq işlənmiş yüksək təmizlikli qrafit istehsalçısıdır. Bizim Silikon Karbid SiC Kaplamalı Barrel Susseptorumuz yaxşı qiymət üstünlüyünə malikdir və bir çox Avropa və Amerika bazarlarını əhatə edir. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.
SemicorexSilikon Karbid SiC ilə örtülmüş çəllək tutucusuyüksək istilik və korroziyaya davamlılığa malik yüksək təmizlənmiş SiC ilə örtülmüş qrafit məhsuludur. LPE üçün uyğundur. TheSilikon karbidSiC ilə örtülmüş çəllək tutucusu, yüksək istilik keçiriciliyinə və əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə malik olan yarımkeçirici vaflilərdə epiksial təbəqə əmələ gətirən proseslərdə istifadə olunur.
Haqqımızda daha çox öyrənmək üçün bu gün bizimlə əlaqə saxlayınSilikon karbidSiC ilə örtülmüş çəllək tutucusu.
ParametrləriSilikon Karbid SiC ilə örtülmüşdürBarrel qəbuledicisi
CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri |
||
SiC-CVD Xüsusiyyətləri |
||
Kristal strukturu |
FCC β fazası |
|
Sıxlıq |
q/sm³ |
3.21 |
Sərtlik |
Vickers sərtliyi |
2500 |
Taxıl ölçüsü |
μm |
2~10 |
Kimyəvi Saflıq |
% |
99.99995 |
İstilik tutumu |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimasiya temperaturu |
℃ |
2700 |
Feleksual Gücü |
MPa (RT 4 bal) |
415 |
Gəncin Modulu |
Gpa (4pt əyilmə, 1300℃) |
430 |
Termal Genişlənmə (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
İstilikkeçirmə |
(Vt/mK) |
300 |
XüsusiyyətləriSilikon Karbid SiC ilə örtülmüşdürBarrel qəbuledicisi
- Həm qrafit substratı, həm də silisium karbid təbəqəsi yaxşı sıxlığa malikdir və yüksək temperatur və aşındırıcı iş mühitlərində yaxşı qoruyucu rol oynaya bilər.
- Tək kristalların böyüməsi üçün istifadə edilən silisium karbid örtüklü suseptor çox yüksək səth düzlüyünə malikdir.
- Qrafit substratı və silisium karbid təbəqəsi arasında istilik genişlənmə əmsalı fərqini azaldın, çatlama və delaminasiyanın qarşısını almaq üçün yapışma gücünü effektiv şəkildə yaxşılaşdırın.
- Həm qrafit substrat, həm də silisium karbid təbəqəsi yüksək istilik keçiriciliyinə və əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə malikdir.
- Yüksək ərimə nöqtəsi, yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti, korroziyaya davamlılıq.