ICP üçün SIC daşıyıcısı

ICP üçün müasir induktivlicolaqlı və çökmə vasitələri, semikorekssi örtülmüş qrafit daşıyıcısının, istilik dəqiqliyi və mexaniki sabitliyin bir balansını təmin edən müasir inamlı tələbatların barışıqsız tələblərini ödəmək üçün hazırlanmışdır. Core-də, fövqəladə anizotrop davranışını hazırlamaq üçün kristal yönümlü bir xüsusi, kiçik bir toplu qrafit substratı, təyyarə istilik keçiriciliyi, şərti izostatik sinifləri çox üst-üstə düşür, təyyarə yolu, vafli-yana isti nöqtələri sıxışdırmaq üçün bilərəkdən uzaqlaşır. Bu yönləndirici istilik axını idarə edilməsi 150 mm-dən 300 mm-ə qədər olan hər biri 300 mm-dən 300 mm-ə qədər olan hər birinin ölçülməsi vahid temperatur genişliyi və sabit dövlət tarazlığı, daralmış tənqidi-ölçülü (CD) paylamalarına və daha yüksək cihaz məhsullarına çevrilir.

Bu ultra təmiz qrafit ətrafında bükülmüş, yüksək temperaturlu CVD sobasında birləşən bir konformal silikon karbid təbəqəsidir. SIC örtüklü-kimyəvi cəhətdən 2000 ° C-yə qədər inert və 0,1% -dən az bir mikro porosiklüyə malikdir - yüksək sıxlıqlı ICP Kimmissiyalarında ortaq flüor, xlor və brom radikallarına qarşı keçilməz bir qalxanı formalaşdırır. CF₄ / O₂, CL₂ / BCL₃ və HBR / HBR / HBR / HBR / HBR / HBR / HBR / HBR / HBR Plasmaları 0.3μMper100Hours-dan aşağıda eroziya dərəcələrini göstərdi, daşıyıcı xidməti həyatını genişləndirən və profilaktik-texniki xidmətdən yayındırır.

Ölçü dəqiqliyi eyni dərəcədə bərabərsizdir: Səthi düzlük bütün ciblənmiş ərazidə ± 5μm arasındakı ± 5μm-də idarə olunur, kənar istisna xüsusiyyətləri, vafli perimetri mikro ətirdən qorumaq üçün lazer işləkdir. SIC örtüyünün yaxınlığında, almaz sərtliyi ilə birləşdirilmiş sıx tolerantlıq, mexaniki sıxma və elektrostatik-chuck velosiped sürən, qatil qüsurlu çirklənməsindən sub-10nm node proseslərini qoruyur. Yüksək güclü ICP reaktorları üçün, daşıyıcının aşağı elektrik müqaviməti (<40μω · m), photoresist profilləri və ya mikro maskalara səbəb ola biləcək örtük gərginlik dalğalanmalarını minimuma endirən sürətli RF torpaq təyyarəsi sabitləşməsini təşviq edir.

Semikorex daşıyıcılarının hər partiyası, qrafit kristaloqrafik hizalanmasını yoxlamaq üçün hərtərəfli metrologiya-raman xəritəsini, SIC qatının bütövlüyünü təsdiqləmək üçün SEM çarpaz bölməni və PPM səviyyəli çirkli eklər təsdiqləmək üçün qalıq-qaz analizini yoxlamaq üçün hərtərəfli metrologiya-raman xəritəsinə məruz qalır. Mikro lot istehsalında israr etdiyimiz üçün (hər qaçış üçün 20 ədəddən az), statistik proses nəzarət çizelgeleri, kütləvi bazar tədarükçülərinin sadəcə uyğun gələ bilmədiyi vaf-qazofu reprodukleyant zəmanət verməyə imkan verən olduqca möhkəm qalırıq. Xüsusi həndəsə, cib dərinliyi və arxa soyutma kanalları, üç həftə qədər qısa müddət ərzində qurğuşun vaxtları ilə birlikdə mövcuddur, avadanlıq və yüksək qarışıq fabs, bütün hardware yığınlarını yenidən dizayn etmədən optimallaşdırmaq üçün yüksək qarışıq fabs.

Bir hermetik SIC Zirehi ilə dünya səviyyəli Anisotropik qrafiti birləşdirməklə, ICP üçün Semikorex SIC Carrier, uzun ömürlü, çirklənmə-tərəddüd və termal vahid platforma olan Fabs təmin edir, lakin yalnız ən sərt plazma mühitinə tabe olan, lakin proses pəncərəsi və səviyyəli performansını aktiv şəkildə artırır. Həmişə daha sərt line-line, dik bir profil və mülkiyyətin aşağı qiyməti olan cihaz istehsalçıları üçün hər mikronun hər mikroni, hər gofretin və hər saatın hər saatı olduğu yerlərdə seçim daşıyıcısıdır.