SiC vafli qabı

MOCVD aparatında əsas element kimi fəaliyyət göstərən Semicorex SiC vafli qabı monokristal substratları saxlayır və termal olaraq idarə edir. Onun müstəsna performans xüsusiyyətləri, o cümlədən üstün istilik sabitliyi və vahidliyi, həmçinin korroziyaya qarşı müqavimət və s. epitaksial materialların yüksək keyfiyyətli böyüməsi üçün çox vacibdir. Bu atributlar nazik film təbəqələrində ardıcıl vahidlik və təmizliyi təmin edir.

SiC örtüyü ilə gücləndirilmiş SiC vafli qabı istilik keçiriciliyini əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdırır, vahid epitaksial böyümə üçün vacib olan sürətli və bərabər istilik paylanmasını asanlaşdırır. SiC vafli qabının istiliyi səmərəli şəkildə udmaq və yaymaq qabiliyyəti nazik təbəqələrin dəqiq çökməsi üçün vacib olan sabit və ardıcıl temperaturu saxlayır. Bu vahid temperatur paylanması qabaqcıl yarımkeçirici cihazların işləməsi üçün vacib olan yüksək keyfiyyətli epitaksial təbəqələrin istehsalı üçün vacibdir.

SiC gofret qabının etibarlı performansı və uzunömürlülüyü dəyişdirmə tezliyini azaldır, dayanma müddətini və texniki xidmət xərclərini minimuma endirir. Onun möhkəm konstruksiyası və üstün əməliyyat imkanları prosesin səmərəliliyini artırır və bununla da yarımkeçirici istehsalında məhsuldarlığı və qənaətcilliyi artırır.

Bundan əlavə, Semicorex SiC vafli qabı yüksək temperaturda oksidləşməyə və korroziyaya qarşı əla müqavimət göstərərək, davamlılığını və etibarlılığını daha da təmin edir. Əhəmiyyətli bir ərimə nöqtəsi ilə qeyd olunan yüksək istilik davamlılığı yarımkeçiricilərin istehsalı proseslərinə xas olan ciddi istilik şərtlərinə tab gətirməyə imkan verir.