Silikon tək kristal çəkmə üçün kvars

Silikon tək kristal çəkmə üçün çarpaz semikorex kvars, silikon vafli istehsalında əsas komponentdir. Tək kristal hazırlıq mərhələsi, diametri, büllur istiqaməti, doping tipi, rezistlik diapazon və paylama, oksigen və karbon konsentrasiyası, azlıq daşıyıcısı ömrü və silikonun panjon qüsurları kimi texniki parametrləri müəyyənləşdirir. Bunun üçün mikro qüsurlar, oksigen konsentrasiyası, metal çirkləri və daşıyıcı konsentrasiyası vahidliyinin hamısının müəyyən bir sıra idarə olunmasını tələb edir.

Czoxralski tək kristal böyümə prosesində, silikon tək kristal çəkmə üçün kvars, silikonun ərimə nöqtəsindən (1420 ℃) ​​temperaturdan yuxarı olan temperaturdan yuxarı dayanmaq lazımdır. Kvarsın çarmıxa, əsasən şəffaf və çox təbəqədən ibarətdir.

Xarici təbəqə, baloncuk kompozit təbəqəsi adlanan yüksək baloncuk sıxlığı olan bir bölgədir; Daxili təbəqə, baloncuk tükənmə təbəqəsi adlanan 3-5 mm şəffaf bir təbəqədir. Bubble tükənmə qatının olması, həlledici həll kontakt sahəsinin sıxlığını azaldır, bununla da tək kristal böyüməni yaxşılaşdırır.

Bubbles: Yüksək saflıq kvars qumun özündə qaz-maye daxil olması var. Kristal çəkmə prosesi zamanı, silikon əriməsi ilə təmasda olanların daxili səthi davamlı olaraq silikon əriyir.  Şəffaf təbəqədəki mikro baloncuklar davamlı olaraq böyüyür və ən daxili səth yırtığına ən yaxın olan baloncuklar, kvars mikro hissəcikləri və mikro baloncukları silikon əriməsinə buraxır. Bu mikro hissəciklər və mikro baloncuklardakı çirklər, silikonun (məhsuldarlıq dərəcəsi, kristallaşma dərəcəsi, istilik müddəti, birbaşa emal xərcləri və s.) Və tək kristal silikonun (delikli gofret, qara fişlərin və s.)

Kvars çarpazSilikon tək kristal çəkmə üçün silikon maye ilə birbaşa əlaqə qurur, buna görə istehsal prosesində səmərəli idarə olunmayan çirk və baloncuklar, çəkən büllur nəticələrinə təsir edəcək, hətta kristal çəkmə və maddi korlanmaya və tullantılara səbəb olur. Çünki tək kristal silikon gofreti yüksək saflıq və vahid kristal çəkmə prosesinin qiyməti yüksəkdir, saft, baloncuk performansı və keyfiyyət sabitliyi baxımından silikon tək kristal çəkmə üçün ən yüksək tələblər var.

Çirklər: çirklər tək kristalların performansına və məhsuldarlığına birbaşa təsir göstərir. Buna görə, çirkli məzmunukuartzSilikon əriməsi ilə birbaşa təmasda olan çarpacaq vacibdir. Çarmıxdakı həddindən artıq çirklər tez-tez kvarsın çarmıxdakı kristallaşmasına səbəb olur (viskozluğun azaldılmasına səbəb olan çirk ionlarının yerli yığılması). Daxili səthin yaxınlığında kristallaşdırma baş verərsə, həddindən artıq qalın yerli kristallaşma təbəqəsi, daha bir kristal böyümənin qarşısını alaraq soymağa meyllidir; Xarici divarda qalın bir kristallaşma təbəqəsi meydana gəlsə, alt və ya əyriliyin qabığı baş verməsi ehtimalı var; Kristallaşdırma, çarmıx bədənə nüfuz etsə, silikon sızması kimi ciddi nəticələrə asanlıqla səbəb ola bilər.

Bubbles: Yüksək saflıq kvars qumun özündə qaz-maye daxil olması var. Kristal çəkmə prosesi zamanı, silikon əriməsi ilə təmasda olanların daxili səthi davamlı olaraq silikon əriyir.  Şəffaf təbəqədəki mikro baloncuklar davamlı olaraq böyüyür və ən daxili səth yırtığına ən yaxın olan baloncuklar, kvars mikro hissəcikləri və mikro baloncukları silikon əriməsinə buraxır. Bu mikro hissəciklər və mikro baloncuklardakı çirklər, silikonun (məhsuldarlıq dərəcəsi, kristallaşma dərəcəsi, istilik müddəti, birbaşa emal xərcləri və s.) Və tək kristal silikonun (delikli gofret, qara fişlərin və s.)