CVD SiC Fin

Semicorex CVD SiC Fin, Kimyəvi Buxar Depoziti tərəfindən istehsal edilmiş qalın, yüksək sıxlıqlı bərk silisium karbid komponentidir, müstəsna təmizlik, davamlılıq və korroziyaya davamlılıq tələb edən plazma üzlüklü və ultra yüksək temperaturlu yarımkeçirici tətbiqlər üçün nəzərdə tutulmuşdur. Semicorex dünya üzrə yarımkeçirici avadanlıq istehsalçılarını qabaqcıl CVD silisium karbid komponentləri ilə təchiz etməklə, ən tələbkar proses mühitləri üçün fərdi həllər, dəqiq mühəndislik və etibarlı qlobal çatdırılma təmin edir.*

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

Yarımkeçirici qurğular daha kiçik həndəsələrə və daha yüksək inteqrasiya səviyyələrinə doğru təkamül etməyə davam etdikcə, texnoloji avadanlıqlar getdikcə daha tələbkar şərtlər altında işləməlidir. Plazma aşındırma, qabaqcıl çökmə və yüksək temperaturlu istehsal mühitləri kamera komponentlərini həddindən artıq istilik stresinə, aqressiv reaktiv qazlara və yüksək enerjili ion bombardmanına məruz qoyur.

Bu çətinliklərin öhdəsindən gəlmək üçün Semicorex qabaqcıl Kimyəvi Buxar Depoziti (CVD) texnologiyası vasitəsilə istehsal edilmiş yüksək sıxlıqlı bərk silisium karbid komponenti olan CVD SiC Fin təklif edir. Tipik olaraq yalnız bir neçə onlarla və ya yüzlərlə mikron ölçən adi SiC nazik film örtüklərindən fərqli olaraq, CVD SiC Fin qalınlığı 500 μm ilə 10.000 μm arasında dəyişən əhəmiyyətli dərəcədə daha qalın, tam sıx silisium karbid quruluşudur.

Bu unikal konstruksiya bəzi ən tələbkar yarımkeçirici emal mühitlərində üstün davamlılığa, daha uzun xidmət müddətinə və müstəsna performansa imkan verir.

CVD SiC Fin nə ilə fərqlənir?

Bir çox yarımkeçirici komponentlər qorunmaq üçün SiC ilə örtülmüş qrafit və ya nazik film SiC örtüklərinə əsaslanır. Bu həllər orta proses şəraitində yaxşı performans göstərsə də, ağır plazma məruz qalma və uzadılmış əməliyyat dövrləri çox vaxt daha möhkəm material sistemi tələb edir.

CVD SiC Fin sadə səth örtüyündən daha çox qalın, yüksək təmizlikli silisium karbid gövdəsi kimi istehsal olunur. Nəticə strukturu təmin edir:

Əhəmiyyətli dərəcədə daha böyük material qalınlığı

Daha yüksək struktur bütövlüyü

Plazma eroziyasına qarşı üstün müqavimət

Daha uzun əməliyyat müddəti

Təkmilləşdirilmiş ölçü sabitliyi

Azaldılmış çirklənmə riski

Qalın istehsalın mürəkkəbliyiCVD SiC komponentlərixüsusilə mürəkkəb həndəsələr və dəqiq xüsusiyyətlər istehsal edərkən standart nazik təbəqə məhsulları ilə müqayisədə əhəmiyyətli dərəcədə yüksəkdir.

Yüksək Saflıqda Sıx SiC Strukturu

CVD çökdürmə prosesi minimal məsaməliliyə və mükəmməl təmizliyə malik müstəsna sıx və vahid silisium karbid materialı istehsal edir.

Əsas material xüsusiyyətlərinə aşağıdakılar daxildir:

Ultra yüksək təmizlik SiC tərkibi
Yüksək sıxlıq və aşağı gözeneklilik
Əla kimyəvi təsirsizlik
Üstün termal sabitlik
Üstün korroziya müqaviməti
Həddindən artıq aşağı hissəcik istehsalı

Bu xüsusiyyətlər, prosesin çirklənməsinin birbaşa cihazın performansına və istehsal məhsuldarlığına təsir göstərə biləcəyi yarımkeçirici istehsal mühitləri üçün vacibdir.

Plazma Mühitlərində Müstəsna Performans

Müasir aşındırma prosesləri zamanla ənənəvi materiallara hücum edə bilən yüksək reaktiv plazma növləri yaradır. Plazmaya məruz qalan komponentlər ölçü dəqiqliyini və səth bütövlüyünü qoruyarkən davamlı bombardmana tab gətirməlidir.

CVD SiCFin müstəsna müqavimət göstərir:

Flüor əsaslı plazma kimyası

Xlor əsaslı aşındırma mühitləri

İon bombardmanı

Kimyəvi korroziya

Termal velosiped

Onun sıx mikrostrukturu materialın deqradasiyasını əhəmiyyətli dərəcədə azaldır və uzunmüddətli istehsal dövrlərində sabit proses şəraitinin saxlanmasına kömək edir.

Bu, materialı prosesin təkrarlanmasının və avadanlıqların işləmə müddətinin vacib olduğu qabaqcıl inteqral sxem istehsalında xüsusilə qiymətli edir.

Ultra Yüksək Temperatur Tətbiqləri üçün nəzərdə tutulmuşdur

Plazma müqavimətinə əlavə olaraq, CVD SiC Fin ekstremal termal şəraitdə əla performans göstərir.

Silikon karbid, bir çox şərti mühəndislik materialına meydan oxuyan temperaturlarda mexaniki gücü və ölçülü sabitliyi saxlamaq qabiliyyəti ilə tanınır.