SiC örtüklü Qrafit Suseptor

SiC örtüklü Qrafit Suseptorun üzərindəki SiC örtüyü bir çox məqsədə xidmət edir. Birincisi, o, epitaksial böyümə prosesləri zamanı temperatur qradiyentlərinə dəqiq nəzarət etməyə imkan verən gücləndirilmiş istilik sabitliyini təmin edir. Bu sabitlik yarımkeçirici vaflilərdə vahid və yüksək keyfiyyətli silisium təbəqələrinə nail olmaq üçün çox vacibdir. SiC Örtüyü ilə Qrafit Susseptorun üzərindəki SiC örtüyü kimyəvi korroziyaya və termal şoka mükəmməl müqavimət göstərir, hətta tələb olunan proses şərtlərində belə həssaslığın bütövlüyünü qoruyur. Bu davamlılıq uzadılmış əməliyyat müddəti və azaldılmış dayanma müddətinə çevrilir, nəticədə yarımkeçirici istehsal müəssisələri üçün daha yüksək məhsuldarlığa və iqtisadi səmərəliliyə töhfə verir.

SiC örtüklü Qrafit Susseptorun lülə dizaynı vaflilərin səmərəli yüklənməsini və boşaldılmasını asanlaşdırır, epitaksiya proseslərində ötürmə qabiliyyətini optimallaşdırır. Bundan əlavə, SiC örtüklü Qrafit Susseptor fərdiləşdirilmiş məhsuldur və o, müxtəlif avadanlıq konfiqurasiyaları və proses parametrləri ilə uyğunluğu təmin edərək, yarımkeçirici istehsalçılarının xüsusi tələblərinə və üstünlüklərinə uyğunlaşdırıla bilər.