SiC ICP lövhəsi

Semicorex SiC ICP lövhəsi müstəsna fiziki və kimyəvi xassələri ilə tanınan Silikon karbiddən hazırlanır. Onun möhkəm təbiəti yarımkeçiricilərin işlənməsinin sərt mühitlərində kritik amillər olan termal şoka, oksidləşməyə və korroziyaya qarşı üstün müqaviməti təmin edir. SiC materialının istifadəsi boşqabın xidmət müddətini əhəmiyyətli dərəcədə artırır, dəyişdirmə tezliyini azaldır və beləliklə, texniki xidmət xərclərini və istehsal müəssisələrində dayanma müddətini azaldır.

SiC ICP lövhəsi yarımkeçirici vaflilərin yaradılması üçün əsas olan plazma aşındırma və çökmə proseslərində həlledici rol oynayır. Bu proseslər zamanı SiC ICP plitəsinin yüksək istilik keçiriciliyi və sabitliyi dəqiq temperatur nəzarətini və plazmanın vahid paylanmasını təmin edir ki, bu da ardıcıl və dəqiq aşındırma və çökmə nəticələrinə nail olmaq üçün çox vacibdir. Bu dəqiqlik getdikcə daha kiçikləşdirilmiş və mürəkkəb yarımkeçirici cihazların istehsalında mühüm əhəmiyyət kəsb edir, burada hətta kiçik sapmalar da əhəmiyyətli performans problemlərinə səbəb ola bilər.

SiC ICP plitəsinin fərqləndirici xüsusiyyətlərindən biri onun müstəsna mexaniki gücüdür. Silikon karbidin özünəməxsus sərtliyi və sərtliyi ekstremal şəraitdə belə mükəmməl struktur bütövlüyü təmin edir. Bu möhkəmlik yüksək intensivlikli plazma prosesləri zamanı daha stabil və etibarlı performansa çevrilir, komponentlərin sıradan çıxması riskini minimuma endirir və fasiləsiz, fasiləsiz işləməyi təmin edir. Üstəlik, materialın ənənəvi metal analoqları ilə müqayisədə yüngülliyi, işləmə və quraşdırmanı asanlaşdıraraq, əməliyyat səmərəliliyini daha da artırır.

Fiziki xüsusiyyətlərinə əlavə olaraq, SiC ICP lövhəsi əla kimyəvi sabitlik təklif edir. O, yarımkeçirici aşındırma və çökmə mühitlərində geniş yayılmış reaktiv plazma növlərinə əla müqavimət göstərir. Bu müqavimət, plazma proseslərində istifadə olunan aqressiv kimyəvi maddələrin mövcudluğunda belə, lövhənin uzun müddət ərzində bütövlüyünü və performansını qorumasını təmin edir. Nəticə etibarilə, SiC ICP lövhəsi yarımkeçirici vaflilərdə çirklənmə və qüsurların olma ehtimalını azaldan daha təmiz emal mühiti təmin edir.