PVT metodu ilə yüksək keyfiyyətli SiC kristal artımı üçün məsaməli qrafit

Silicon Carbide (SiC) yarımkeçirici texnologiya sahəsində əsas material kimi ortaya çıxdı və onu müxtəlif elektron və optoelektronik tətbiqlər üçün çox arzuolunan edən müstəsna xüsusiyyətlər təklif etdi. Yüksək keyfiyyətli SiC monokristallarının istehsalı güc elektronikası, LED-lər və yüksək tezlikli cihazlar kimi cihazların imkanlarını inkişaf etdirmək üçün çox vacibdir. Bu yazıda biz 4H-SiC tək kristal böyüməsi üçün Fiziki Buxar Nəqliyyatı (PVT) metodunda məsaməli qrafitin əhəmiyyətini araşdırırıq.

PVT metodu SiC monokristallarının istehsalı üçün geniş istifadə olunan bir texnikadır. Bu proses yüksək temperatur mühitində SiC mənbə materiallarının sublimasiyasını, sonra onların tək kristal strukturu yaratmaq üçün toxum kristalında kondensasiyasını əhatə edir. Bu metodun müvəffəqiyyəti temperatur, təzyiq və istifadə olunan materiallar da daxil olmaqla böyümə kamerasındakı şərtlərdən çox asılıdır.

Unikal strukturu və xassələri ilə məsaməli qrafit SiC kristalının böyüməsi prosesinin gücləndirilməsində mühüm rol oynayır. Ənənəvi PVT üsulları ilə yetişdirilən SiC kristalları bir çox kristal formaya malik olacaq. Bununla belə, sobada məsaməli qrafit potasından istifadə 4H-SiC monokristalının saflığını xeyli artıra bilər.

4H-SiC monokristal artımı üçün məsaməli qrafitin PVT metoduna daxil edilməsi yarımkeçirici texnologiya sahəsində əhəmiyyətli irəliləyişi təmsil edir. Məsaməli qrafitin unikal xüsusiyyətləri qaz axınının artmasına, temperaturun homojenliyinə, stressin azaldılmasına və təkmilləşdirilmiş istilik yayılmasına kömək edir. Bu amillər kollektiv şəkildə daha az qüsurlu yüksək keyfiyyətli SiC monokristallarının istehsalı ilə nəticələnir, daha səmərəli və etibarlı elektron və optoelektronik cihazların inkişafına zəmin yaradır. Yarımkeçirici sənayesi inkişaf etməyə davam etdikcə, SiC kristalının böyüməsi proseslərində məsaməli qrafitin istifadəsi elektron materialların və cihazların gələcəyinin formalaşmasında mühüm rol oynamağa hazırlaşır.