Barrel Reaktorunda Semicorex CVD Epitaksial Çökmə vafli çiplərində epiksial təbəqələrin böyüməsi üçün yüksək davamlı və etibarlı məhsuldur. Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti və yüksək təmizliyi onu yarımkeçirici sənayesində istifadə üçün əlverişli edir. Onun hətta istilik profili, laminar qaz axını modeli və çirklənmənin qarşısının alınması onu yüksək keyfiyyətli epiksial təbəqənin böyüməsi üçün ideal seçim edir.
Barrel Reaktorunda CVD Epitaksial Depozitimiz ekstremal mühitlərdə etibarlı performans təmin etmək üçün nəzərdə tutulmuş yüksək performanslı məhsuldur. Onun üstün örtük yapışması, yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti və korroziyaya davamlılığı onu sərt mühitlərdə istifadə üçün əla seçim edir. Bundan əlavə, onun bərabər istilik profili, laminar qaz axını modeli və çirklənmənin qarşısının alınması epiksial təbəqənin yüksək keyfiyyətini təmin edir.
Semicorex-də biz müştərilərimizə yüksək keyfiyyətli, sərfəli məhsullar təqdim etməyə diqqət yetiririk. Barrel Reaktorunda CVD Epitaksial Çöküntülərimiz qiymət üstünlüyünə malikdir və bir çox Avropa və Amerika bazarlarına ixrac olunur. Ardıcıl keyfiyyətli məhsullar və müstəsna müştəri xidməti təqdim edərək uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı hədəfləyirik.
Barrel Reaktorunda CVD Epitaksial Çöküntü Parametrləri
CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri |
||
SiC-CVD Xüsusiyyətləri |
||
Kristal strukturu |
FCC β mərhələsi |
|
Sıxlıq |
q/sm³ |
3.21 |
Sərtlik |
Vickers sərtliyi |
2500 |
Taxıl ölçüsü |
μm |
2~10 |
Kimyəvi Saflıq |
% |
99.99995 |
İstilik tutumu |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimasiya temperaturu |
℃ |
2700 |
Feleksual Gücü |
MPa (RT 4 bal) |
415 |
Young's Modulu |
Gpa (4pt əyilmə, 1300â) |
430 |
Termal Genişlənmə (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
İstilikkeçirmə |
(Vt/mK) |
300 |
Barrel Reaktorunda CVD Epitaksial Çöküntünün Xüsusiyyətləri
- Həm qrafit substratı, həm də silisium karbid təbəqəsi yaxşı sıxlığa malikdir və yüksək temperatur və aşındırıcı iş mühitlərində yaxşı qoruyucu rol oynaya bilər.
- Tək kristalların böyüməsi üçün istifadə edilən silisium karbidlə örtülmüş sensor çox yüksək səth düzlüyünə malikdir.
- Qrafit substratı və silisium karbid təbəqəsi arasında istilik genişlənmə əmsalı fərqini azaldın, çatlama və delaminasiyanın qarşısını almaq üçün yapışma gücünü effektiv şəkildə yaxşılaşdırın.
- Həm qrafit substrat, həm də silisium karbid təbəqəsi yüksək istilik keçiriciliyinə və əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə malikdir.
- Yüksək ərimə nöqtəsi, yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti, korroziyaya davamlılıq.