SiC epitaksi nədir?

Silikon Karbid (SiC) epitaksisi yarımkeçiricilər sahəsində, xüsusən də yüksək güclü elektron cihazların inkişafı üçün əsas texnologiyadır. SiC geniş diapazonlu mürəkkəb yarımkeçiricidir və bu onu yüksək temperatur və yüksək gərginlikli əməliyyat tələb edən tətbiqlər üçün ideal edir.

SiC epitaksiyası kimyəvi buxar çökdürmə (CVD) və ya molekulyar şüa epitaksisi (MBE) üsullarından istifadə edərək, bir substratda, adətən silikonda nazik bir kristal material təbəqəsinin yetişdirilməsi prosesidir. Epitaksial təbəqə substratla eyni kristal quruluşa və oriyentasiyaya malikdir, bu da iki material arasında yüksək keyfiyyətli interfeysin formalaşmasına imkan verir.

SiC epitaksisi diodlar, tranzistorlar və tiristorlar kimi güc qurğuları da daxil olmaqla güc elektronikasının inkişafında geniş istifadə edilmişdir. Bu cihazlar elektrik nəqliyyat vasitələri, bərpa olunan enerji sistemləri və enerji təchizatı kimi geniş tətbiqlərdə istifadə olunur.

Son illərdə elektrik nəqliyyat vasitələri və bərpa olunan enerji sistemləri kimi tətbiqlər üçün yüksək güclü cihazların istehsalı üçün SiC epitaksiyasının inkişafına artan maraq var. Bu cihazlara tələbatın daha səmərəli və dayanıqlı enerji sistemlərinə olan ehtiyacdan irəli gələrək qarşıdakı illərdə sürətlə artacağı gözlənilir.

Bu tələbata cavab olaraq, tədqiqatçılar və şirkətlər keyfiyyətin yaxşılaşdırılmasına və prosesin maya dəyərinin azaldılmasına diqqət yetirməklə, SiC epitaksi texnologiyasının inkişafına sərmayə qoyurlar. Məsələn, bəzi şirkətlər vafli başına düşən xərcləri azaltmaq üçün daha böyük substratlarda SiC epitaksiyasını inkişaf etdirir, digərləri isə qüsurların sıxlığını azaltmaq üçün yeni texnikaları araşdırır.

SiC epitaksisi həmçinin qazın təyini, temperaturun təyin edilməsi və təzyiqin təyini daxil olmaqla bir sıra tətbiqlər üçün qabaqcıl sensorların işlənib hazırlanmasında istifadə olunur. SiC yüksək temperaturda sabitlik və sərt mühitlərə müqavimət kimi onu bu tətbiqlər üçün ideal edən unikal xüsusiyyətlərə malikdir.