Yarımkeçiricidəki vahid: Angstrom

Angstrom nədir?

Angstrom (simvol: Å) çox kiçik uzunluq vahididir, ilk növbədə mikroskopik hadisələrin miqyasını, məsələn, atomlar və molekullar arasındakı məsafələri və ya vafli istehsalında nazik təbəqələrin qalınlığını təsvir etmək üçün istifadə olunur. Bir anqstrom \(10^{-10}\) metrə bərabərdir ki, bu da 0,1 nanometrə (nm) bərabərdir.

Bu anlayışı daha intuitiv şəkildə göstərmək üçün aşağıdakı bənzətməni nəzərdən keçirək: İnsan saçının diametri təxminən 70.000 nanometrdir, bu da 700.000 Å deməkdir. Əgər biz Yerin diametri kimi 1 metr təsəvvür etsək, onda 1 Å Yer səthindəki kiçik qum dənəciyinin diametri ilə müqayisə edilir.

İnteqral sxem istehsalında angstrom xüsusilə faydalıdır, çünki o, silikon oksidi, silikon nitridi və qatqılı təbəqələr kimi son dərəcə nazik təbəqələrin qalınlığını təsvir etmək üçün dəqiq və rahat bir yol təqdim edir. Yarımkeçirici proses texnologiyasının inkişafı ilə qalınlığa nəzarət etmək qabiliyyəti ayrı-ayrı atom təbəqələri səviyyəsinə çatdı və anqstromu sahədə əvəzolunmaz vahidə çevirdi.

İnteqral sxem istehsalında angstromların istifadəsi geniş və həlledicidir. Bu ölçü nazik təbəqənin çökməsi, aşındırma və ion implantasiyası kimi əsas proseslərdə mühüm rol oynayır. Aşağıda bir neçə tipik ssenari var:

1. Nazik Film Qalınlığına Nəzarət

Silisium oksid (SiO₂) və silisium nitridi (Si₃N₄) kimi nazik təbəqə materialları adətən yarımkeçirici istehsalında izolyasiya təbəqələri, maska ​​təbəqələri və ya dielektrik təbəqələr kimi istifadə olunur. Bu filmlərin qalınlığı cihazın işinə mühüm təsir göstərir.  

Məsələn, MOSFET-in (metal oksid yarımkeçirici sahə effektli tranzistor) qapı oksidi təbəqəsi adətən bir neçə nanometr və ya hətta bir neçə angstrom qalınlığında olur. Qat çox qalındırsa, o, cihazın işini pisləşdirə bilər; çox incə olarsa, parçalanmaya səbəb ola bilər. Kimyəvi buxar çökdürmə (CVD) və atom təbəqəsinin çökməsi (ALD) texnologiyaları qalınlığın dizayn tələblərinə cavab verməsini təmin edərək, angstrom səviyyəsində dəqiqliklə nazik təbəqələrin çökdürülməsinə imkan verir.

2. Dopinq Nəzarəti  

İon implantasiyası texnologiyasında implantasiya edilmiş ionların nüfuz dərinliyi və dozası yarımkeçirici qurğunun işinə əhəmiyyətli dərəcədə təsir göstərir. Angstromlar implantasiya dərinliyinin paylanmasını təsvir etmək üçün tez-tez istifadə olunur. Məsələn, dayaz birləşmə proseslərində implantasiya dərinliyi onlarla angstrom qədər kiçik ola bilər.

3. Qaşınma Dəqiqliyi

Quru aşında, aşındırma sürətinə və angstrom səviyyəsinə qədər dayanma müddətinə dəqiq nəzarət əsas materiala zərər verməmək üçün vacibdir. Məsələn, tranzistorun qapısının aşındırılması zamanı həddindən artıq aşındırma performansın aşağı düşməsinə səbəb ola bilər.

4. Atom Layer Depoziti (ALD) Texnologiyası

ALD, materialların hər dəfə bir atom qatında çökdürülməsinə imkan verən bir texnikadır, hər dövrədə adətən yalnız 0,5 ilə 1 A arasında bir film qalınlığı əmələ gəlir. Bu texnologiya xüsusilə yüksək dielektrik sabit (High-K) materiallarla istifadə edilən qapı dielektrikləri kimi ultra nazik filmlərin tikintisi üçün faydalıdır.

Semicorex yüksək keyfiyyət təklif ediryarımkeçirici vaflilər. Hər hansı bir sualınız varsa və ya əlavə məlumatlara ehtiyacınız varsa, bizimlə əlaqə saxlamaqdan çəkinməyin.

Əlaqə telefonu +86-13567891907

E-poçt: sales@semicorex.com