Epitaksial vafli prosesi yarımkeçirici istehsalında istifadə olunan kritik bir texnikadır. Bu, substratla eyni kristal quruluşa və oriyentasiyaya malik olan substratın üstündə nazik bir kristal material təbəqəsinin böyüməsini əhatə edir. Bu proses iki material arasında yüksək keyfiyyətli interfeys yaradır və qabaqcıl elektron cihazların inkişafına imkan verir.

Epitaksial vafli prosesi müxtəlif yarımkeçirici cihazların, o cümlədən diodların, tranzistorların və inteqral sxemlərin istehsalında istifadə olunur. Proses adətən kimyəvi buxar çökmə (CVD) və ya molekulyar şüa epitaksisi (MBE) üsullarından istifadə etməklə həyata keçirilir. Bu üsullar material atomlarının kristal təbəqə əmələ gətirdiyi substratın səthinə çökdürülməsini nəzərdə tutur.

Epitaksial vafli prosesi temperatur, təzyiq və qaz axını sürəti kimi müxtəlif parametrlərə ciddi nəzarət tələb edən mürəkkəb və dəqiq bir texnikadır. Aşağı qüsur sıxlığı ilə yüksək keyfiyyətli kristal quruluşun formalaşmasını təmin etmək üçün epitaksial təbəqənin böyüməsinə diqqətlə nəzarət edilməlidir.

Epitaksial vafli prosesinin keyfiyyəti yaranan yarımkeçirici cihazın performansı üçün çox vacibdir. Optimal elektron xassələri təmin etmək üçün epitaksial təbəqə vahid qalınlığa, aşağı qüsur sıxlığına və yüksək təmizliyə malik olmalıdır. Epitaksial təbəqənin qalınlığı və dopinq səviyyəsi, keçiricilik və bant boşluğu kimi arzu olunan xüsusiyyətlərə nail olmaq üçün dəqiq idarə edilə bilər.

Son illərdə epitaksial vafli prosesi yüksək performanslı yarımkeçirici cihazların istehsalında, xüsusən də enerji elektronikası sahəsində getdikcə daha çox əhəmiyyət kəsb edir. Təkmilləşdirilmiş effektivliyə və etibarlılığa malik yüksək məhsuldar cihazlara tələb qabaqcıl epitaksial vafli proseslərin inkişafına təkan verdi.

Epitaksial gofret prosesi temperatur sensorları, qaz sensorları və təzyiq sensorları da daxil olmaqla qabaqcıl sensorların hazırlanmasında da istifadə olunur. Bu sensorlar xüsusi elektron xassələrə malik yüksək keyfiyyətli kristal təbəqələr tələb edir ki, bu da epitaksial vafli prosesi vasitəsilə əldə edilə bilər.