TaC örtüklü MOCVD qəbuledicisi

TaC örtüklü Semicorex MOCVD Susceptor yüksək performans və davamlılığı təmin etmək üçün müstəsna xüsusiyyətləri ilə seçilən diqqətlə seçilmiş qrafitdən hazırlanmışdır. Qrafit əla istilik və elektrik keçiriciliyi, həmçinin MOCVD proseslərinə xas olan yüksək temperaturlara tab gətirmək qabiliyyəti ilə tanınır. Bu MOCVD Susceptorun əsas xüsusiyyəti onun TaC örtüyündədir. Tantal karbid müstəsna sərtliyi, kimyəvi təsirsizliyi və istilik sabitliyi ilə tanınan odadavamlı keramika materialıdır. Qrafit həssasını TaC ilə örtməklə biz təkcə MOCVD proseslərinin tələbkar şərtlərinə tab gətirməyən, həm də sistemin ümumi performansını və dayanıqlığını artıran komponentə nail oluruq.

TaC Örtüyü ilə MOCVD Susceptor örtük və qrafit substrat arasında güclü bir əlaqə təmin edir. Bu işdə qrafitin diqqətlə seçilməsi həlledici rol oynayır. TaC örtüklü MOCVD Susseptorumuzda istifadə olunan qrafitin Termal Genişlənmə Əmsalı (CTE) TaC örtüyü ilə sıx uyğun gəlir. CTE dəyərlərindəki bu yaxın uyğunluq MOCVD proseslərində xarakterik olan sürətli isitmə və soyutma dövrləri zamanı baş verə biləcək istilik gərginliklərini minimuma endirir. Nəticədə, TaC örtüyü qrafit alt qatına daha möhkəm yapışır, mexaniki bütövlüyünü və susseptorun ömrünü əhəmiyyətli dərəcədə artırır.

TaC Kaplamalı MOCVD Susceptor yüksək davamlıdır və MOCVD prosesinin mexaniki gərginliklərinə və sərt şərtlərinə heç bir zərər vermədən dözə bilir. Bu davamlılıq yüksək məhsuldar epitaksial böyümə üçün tələb olunan dəqiq həndəsə və səth keyfiyyətini qorumaq üçün vacibdir. Möhkəm TaC örtüyü, eyni zamanda, sensorun istismar müddətini uzadır, dəyişdirmə tezliyini azaldır və MOCVD sisteminə sahib olmaq üçün ümumi xərcləri azaldır.

TaC-nin istilik sabitliyi TaC örtüklü MOCVD Susceptor-a səmərəli MOCVD prosesləri üçün lazım olan yüksək temperaturda işləməyə imkan verir. Bu o deməkdir ki, TaC örtüklü MOCVD Susceptor aşağı temperaturda GaN artımından tutmuş yüksək temperaturlu SiC epitaksiyasına qədər geniş çeşidli çökmə proseslərini dəstəkləyə bilər və onu müxtəlif tətbiqlər üçün MOCVD sistemlərini optimallaşdırmaq istəyən yarımkeçirici istehsalçıları üçün dəyərli komponentə çevirir.

TaC örtüklü Semicorex MOCVD Susseptor yarımkeçirici epitaksiyada əhəmiyyətli irəliləyişi təmsil edir. Qrafit və TaC xassələrini birləşdirərək, biz müasir MOCVD proseslərinin tələblərinə cavab verən, lakin onları üstələyən bir susseptor hazırlamışıq. Qrafit substrat və TaC örtüyü arasında sıx uyğunlaşdırılmış istilik genişlənmə əmsalları (CTE) güclü bir əlaqəni təmin edir, TaC-nin müstəsna sərtliyi, kimyəvi təsirsizliyi və istilik sabitliyi misilsiz qorunma və davamlılıq təmin edir. Bu, üstün performans təmin edən, epitaksial böyümənin keyfiyyətini artıran və MOCVD sistemlərinin istismar müddətini uzadan bir susseptorla nəticələnir. Yarımkeçirici istehsalçıları daha yüksək məhsuldarlıq, aşağı xərclər və daha çox proses çevikliyi əldə etmək üçün TaC örtüklü MOCVD Susceptorumuza etibar edə bilər ki, bu da onu texnoloji yenilik və yarımkeçirici istehsalında mükəmməlliyə nail olmaq üçün vacib komponentə çevirir.