SiC Wafer Chuck

SiC Gofret Çakının əsası qrafitdən hazırlanmış və SiC Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD) ilə diqqətlə örtülmüş materialların mürəkkəb qarışığıdır. Qrafit və SiC örtüyünün bu birləşməsi yalnız müstəsna dayanıqlığı və istilik sabitliyini təmin etmir, həm də istehsal prosesi boyunca zərif yarımkeçirici vaflilərin bütövlüyünü qoruyaraq, sərt kimyəvi mühitlərə misilsiz müqavimət göstərir.

SiC vafli çubuq müstəsna istilik keçiriciliyinə malikdir və yarımkeçiricilərin istehsalı zamanı səmərəli istilik yayılmasını asanlaşdırır. Bu imkan vafli səthi boyunca istilik qradiyentlərini minimuma endirərək, dəqiq yarımkeçirici xassələrə nail olmaq üçün vacib olan vahid temperatur paylanmasını təmin edir. CVD SiC örtüyünün inteqrasiyası sayəsində SiC Gofret Çəkisi vafli emalı zamanı qarşılaşılan tələbkar şərtlərə tab gətirə bilən əla mexaniki möhkəmlik və sərtlik nümayiş etdirir. Bu möhkəmlik deformasiya və ya zədələnmə riskini minimuma endirir, yarımkeçirici lövhələrin bütövlüyünü qoruyur və istehsal məhsuldarlığını artırır.

Hər bir SiC vafli çəngəl səthi boyunca sıx toleranslara və optimal düzlüyə zəmanət verərək, ciddi dəqiqliklə emaldan keçir. Bu dəqiqlik çubuq və yarımkeçirici vafli arasında vahid təmasın əldə edilməsi, vaflinin etibarlı sıxışdırılmasını asanlaşdırmaq və ardıcıl emal nəticələrini təmin etmək üçün vacibdir.

SiC vafli çubuq müxtəlif yarımkeçirici istehsal proseslərində, o cümlədən epitaksial artım, kimyəvi buxar çökmə (CVD) və istilik emalında geniş tətbiq tapır. Onun çox yönlüliyi və etibarlılığı onu kritik istehsal mərhələləri zamanı SiC vafliləri dəstəkləmək üçün əvəzolunmaz edir və nəticədə misilsiz performans və etibarlılığa malik qabaqcıl yarımkeçirici cihazların istehsalına töhfə verir.