Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reaktor Sistemi əla istilik performansı, hətta istilik profili və üstün örtük yapışması təklif edən innovativ məhsuldur. Yüksək təmizliyi, yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti və korroziyaya davamlılığı onu yarımkeçirici sənayesində istifadə üçün ideal seçim edir. Onun fərdiləşdirilə bilən variantları və qənaətcilliyi onu bazarda yüksək rəqabətli məhsula çevirir.
Maye Fazalı Epitaksiya (LPE) Reaktor Sistemimiz pul üçün əla dəyər verən yüksək etibarlı və davamlı məhsuldur. Yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti, hətta istilik profili və çirklənmənin qarşısının alınması onu yüksək keyfiyyətli epitaksial təbəqənin böyüməsi üçün ideal edir. Onun aşağı texniki xidmət tələbləri və fərdiləşdirilə bilməsi onu bazarda yüksək rəqabətli məhsula çevirir.
Semicorex-də biz müştərilərimizə yüksək keyfiyyətli, sərfəli məhsullar təqdim etməyə diqqət yetiririk. Maye Fazalı Epitaksiya (LPE) Reaktor Sistemimiz qiymət üstünlüyünə malikdir və bir çox Avropa və Amerika bazarlarına ixrac olunur. Ardıcıl keyfiyyətli məhsullar və müstəsna müştəri xidməti təqdim edərək uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı hədəfləyirik.
Maye Fazalı Epitaksiya (LPE) Reaktor Sistemimiz haqqında ətraflı öyrənmək üçün bu gün bizimlə əlaqə saxlayın.
Maye Fazalı Epitaksiya (LPE) Reaktor Sisteminin Parametrləri
CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri |
||
SiC-CVD Xüsusiyyətləri |
||
Kristal strukturu |
FCC β mərhələsi |
|
Sıxlıq |
q/sm³ |
3.21 |
Sərtlik |
Vickers sərtliyi |
2500 |
Taxıl ölçüsü |
μm |
2~10 |
Kimyəvi Saflıq |
% |
99.99995 |
İstilik tutumu |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimasiya temperaturu |
℃ |
2700 |
Feleksual Gücü |
MPa (RT 4 bal) |
415 |
Young's Modulu |
Gpa (4pt əyilmə, 1300â) |
430 |
Termal Genişlənmə (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
İstilikkeçirmə |
(Vt/mK) |
300 |
Maye Fazalı Epitaksiya (LPE) Reaktor Sisteminin Xüsusiyyətləri
- Həm qrafit substratı, həm də silisium karbid təbəqəsi yaxşı sıxlığa malikdir və yüksək temperatur və aşındırıcı iş mühitlərində yaxşı qoruyucu rol oynaya bilər.
- Tək kristalların böyüməsi üçün istifadə edilən silisium karbidlə örtülmüş sensor çox yüksək səth düzlüyünə malikdir.
- Qrafit substratı və silisium karbid təbəqəsi arasında istilik genişlənmə əmsalı fərqini azaldın, çatlama və delaminasiyanın qarşısını almaq üçün yapışma gücünü effektiv şəkildə yaxşılaşdırın.
- Həm qrafit substrat, həm də silisium karbid təbəqəsi yüksək istilik keçiriciliyinə və əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə malikdir.
- Yüksək ərimə nöqtəsi, yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti, korroziyaya davamlılıq.