Semicorex müxtəlif növ 4H və 6H SiC vafliləri təqdim edir. Biz uzun illərdir vafli substratların istehsalçısı və təchizatçısıyıq. 4 düymlük Yüksək Təmizlikdə Yarı İzolyasiyalı HPSI SiC İkitərəfli Cilalanmış Gofret Substratımız yaxşı qiymət üstünlüyünə malikdir və Avropa və Amerika bazarlarının əksəriyyətini əhatə edir. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.
Semicorex tam silisium karbid (SiC) vafli məhsullar xəttinə malikdir, o cümlədən N-tipli, P-tipli və yüksək təmizlikli yarıizolyasiya edən vaflilərə malik 4H və 6H substratlar, onlar epitaksiyalı və ya epitaksiyasız ola bilər.
Qabaqcıl elektron və yarımkeçirici tətbiqlərin tələblərinə cavab vermək üçün nəzərdə tutulmuş ən yüksək səviyyəli məhsul olan 4 düymlük Yüksək Təmizlikdə Yarı İzolyasiyalı HPSI SiC İkitərəfli Cilalanmış Gofret Substratımızı təqdim edirik.
4 düymlük Yüksək Saflıqda Yarı İzolyasiyalı HPSI SiC İkitərəfli Cilalanmış Gofret Substratı əsasən 5G rabitə, radar sistemləri, bələdçi başlıqlar, peyk rabitəsi, döyüş təyyarələri və digər sahələrdə istifadə olunur, RF diapazonunu, ultra uzun məsafəni artırmaq üstünlükləri ilə identifikasiya, tıxanmaya qarşı və yüksək sürətli, yüksək tutumlu məlumat ötürmə və digər tətbiqlər, mikrodalğalı güc cihazlarının istehsalı üçün ən ideal substrat hesab olunur.
Xüsusiyyətlər:
â Çap: 4â³
â İkiqat cilalanmış
âl dərəcə: İstehsal, Tədqiqat, Dummy
â 4H-SiC HPSI vaflisi
â Qalınlıq: 500±25 μm
âl Mikroborunun Sıxlığı: â¤1 ea/sm2~ â¤10 e/sm2
Əşyalar |
İstehsal |
Araşdırma |
dummy |
Kristal parametrləri |
|||
Politip |
4H |
||
Ox üzrə səth oriyentasiyası |
<0001 > |
||
Səth oriyentasiyası oxdan kənar |
0±0,2° |
||
(0004) FWHM |
â¤45qövs |
â¤60qövs |
â¤1OOarcsec |
Elektrik Parametrləri |
|||
Növ |
HPSI |
||
Müqavimət |
â¥1 E9ohm·sm |
100% sahə > 1 E5ohm·sm |
70% sahə > 1 E5ohm·sm |
Mexaniki Parametrlər |
|||
Diametr |
99,5 - 100 mm |
||
Qalınlıq |
500±25 μm |
||
İlkin düz oriyentasiya |
[1-100]±5° |
||
İlkin düz uzunluq |
32,5±1,5 mm |
||
İkinci dərəcəli düz mövqe |
Əsas mənzildən 90° CW ±5°. silikon üzü yuxarı |
||
İkinci dərəcəli düz uzunluq |
18±1,5 mm |
||
TTV |
â¤5 μm |
â¤10 μm |
â¤20 μm |
LTV |
â¤2 μm (5mm*5mm) |
â¤5 μm (5mm*5mm) |
NA |
Yay |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
Çarpma |
â¤20 μm |
â¤45 μm |
â¤50 μm |
Ön (Si-üz) pürüzlülük (AFM) |
Raâ¤0.2nm (5μm*5μm) |
||
Struktur |
|||
Mikroborunun sıxlığı |
â¤1 e/sm2 |
â¤5 e/sm2 |
â¤10 e/sm2 |
Karbon daxilolma sıxlığı |
â¤1 e/sm2 |
NA |
|
Altıbucaqlı boşluq |
Heç biri |
NA |
|
Metal çirkləri |
â¤5E12atom/sm2 |
NA |
|
Ön keyfiyyət |
|||
Ön |
Si |
||
Səthi bitirmə |
Si-üzlü CMP |
||
hissəciklər |
â¤60ea/vafli (ölçüsüâ¥0,3μm) |
NA |
|
cızıqlar |
â¤2ea/mm. Kümülatif uzunluq â¤Diametr |
Kümülatif uzunluqâ¤2*Diametr |
NA |
Portağal qabığı / çuxurlar / ləkələr / zolaqlar / çatlar / çirklənmə |
Heç biri |
NA |
|
Kənar çiplər / girintilər / qırıqlar / altıbucaqlı lövhələr |
Heç biri |
||
Politip sahələr |
Heç biri |
Kumulyativ sahəâ¤20% |
Kumulyativ sahəâ¤30% |
Ön lazer markalanması |
Heç biri |
||
Arxa Keyfiyyət |
|||
Arxa finiş |
C-üzlü CMP |
||
cızıqlar |
â¤5ea/mm,Kumulyativ uzunluqâ¤2*Diametr |
NA |
|
Arxa qüsurlar (kənar çipləri / girintilər) |
Heç biri |
||
Arxa pürüzlülük |
Raâ¤0.2nm (5μm*5μm) |
||
Arxa lazer markalanması |
1 mm (yuxarı kənardan) |
||
Kənar |
|||
Kənar |
pax |
||
Qablaşdırma |
|||
Qablaşdırma |
Daxili çanta azotla doldurulur və xarici çanta tozsoranla təmizlənir. Çox vafli kaset, epi-hazır. |
||
*Qeydlər “NA” sorğunun olmaması deməkdir. Qeyd olunmayan maddələr SEMI-STD-yə aid ola bilər. |