Quru aşındırma və yaş aşındırma

Yarımkeçiricilərin istehsalında aşındırma fotolitoqrafiya və nazik təbəqənin çökməsi ilə yanaşı əsas addımlardan biridir. Kimyəvi və ya fiziki üsullardan istifadə edərək vaflinin səthindən arzuolunmaz materialların çıxarılmasını nəzərdə tutur. Bu addım örtük, fotolitoqrafiya və inkişafdan sonra həyata keçirilir. Açıq nazik film materialını çıxarmaq, vaflinin yalnız istədiyiniz hissəsini buraxmaq və sonra artıq fotorezisti çıxarmaq üçün istifadə olunur. Bu addımlar mürəkkəb inteqral sxemlər yaratmaq üçün dəfələrlə təkrarlanır.

Aşınma iki kateqoriyaya bölünür: quru aşındırma və yaş aşındırma. Quru aşındırma reaktiv qazlardan və plazma aşındırmadan istifadəni nəzərdə tutur, yaş aşındırma isə materialın korroziya məhluluna batırılmasını nəzərdə tutur. Quru aşındırma anizotrop aşındırmağa imkan verir, yəni materialın yalnız şaquli istiqaməti eninə materiala təsir etmədən həkk olunur. Bu, kiçik qrafiklərin sədaqətlə ötürülməsini təmin edir. Bunun əksinə olaraq, nəm aşındırma idarə edilə bilməz, bu, xəttin enini azalda və ya hətta xəttin özünü məhv edə bilər. Bu, keyfiyyətsiz istehsal çipləri ilə nəticələnir.

İstifadə olunan ion aşındırma mexanizminə əsasən quru aşındırma fiziki aşındırma, kimyəvi aşındırma və fiziki-kimyəvi aşındırma kimi təsnif edilir. Fiziki aşındırma yüksək yönlüdür və anizotropik aşındırma ola bilər, lakin seçici aşındırma deyil. Kimyəvi aşındırma, aşındırma məqsədinə çatmaq üçün atom qrupunun kimyəvi fəaliyyətində plazmadan və aşınacaq materialdan istifadə edir. Yaxşı seçiciliyə malikdir, lakin aşındırma və ya kimyəvi reaksiyanın əsasına görə anizotropiya zəifdir.