Toplu SiC Ring

Semicorex Bulk SiC Ring, müstəsna mexaniki xassələri, kimyəvi sabitliyi və istilik keçiriciliyi ilə məşhur olan Kimyəvi Buxar Depoziti (CVD) Silikon Karbidindən (SiC) hazırlanmışdır və onu yarımkeçiricilərin istehsalının ciddi mühitləri üçün ideal edir.

Yarımkeçiricilər sənayesində aşındırma inteqral sxemlərin (IC) istehsalında əsas addımdır və dəqiqlik və material bütövlüyü tələb edir. Bulk SiC Ring, aşındırma prosesini gücləndirən sabit, davamlı və kimyəvi cəhətdən təsirsiz bir maneə yaratmaqla bu prosesdə mühüm rol oynayır. Onun əsas funksiyası plazmanın ardıcıl paylanmasını təmin etməklə və digər komponentləri arzuolunmaz materialın çökməsindən və çirklənmədən qorumaqla vafli səthinin vahid aşınmasını təmin etməkdir.

Bulk SiC Ring-də yerləşdirilmiş CVD SiC-nin ən diqqətəlayiq atributlarından biri onun üstün material xüsusiyyətləridir. CVD SiC son dərəcə saf, polikristal materialdır, kimyəvi korroziyaya və plazma aşındırma mühitlərində geniş yayılmış yüksək temperaturlara müstəsna müqavimət göstərir. Kimyəvi Buxar Depoziti üsulu materialın mikrostrukturuna ciddi nəzarət etməyə imkan verir, yüksək sıx və homogen SiC təbəqəsi verir. Bu idarə olunan çökmə metodu, Bulk SiC Ring-in çətin şəraitdə uzun müddət istifadəsi zamanı performansını qorumaq üçün vacib olan vahid və möhkəm bir quruluşa sahib olmasını təmin edir.

CVD SiC-nin istilik keçiriciliyi, yarımkeçirici aşındırmada Bulk SiC Ring performansını artıran başqa bir əsas amildir. Aşınma prosesləri tez-tez yüksək temperaturlu plazmaları əhatə edir və SiC Ring-in istiliyi səmərəli şəkildə yaymaq bacarığı aşındırma prosesinin sabitliyini və dəqiqliyini qorumağa kömək edir. Bu istilik idarəetmə qabiliyyəti təkcə SiC Ring-in ömrünü uzatmır, həm də ümumi prosesin etibarlılığını və məhsuldarlığını artırır.

İstilik xüsusiyyətlərinə əlavə olaraq, Bulk SiC Ring-in mexaniki gücü və sərtliyi onun yarımkeçirici istehsalında rolu üçün çox vacibdir. CVD SiC yüksək mexaniki möhkəmlik nümayiş etdirir, halqaya yüksək vakuum mühitləri və plazma hissəciklərinin təsirləri daxil olmaqla aşındırma prosesinin fiziki stresslərinə tab gətirməyə imkan verir. Materialın sərtliyi həm də aşınmaya və aşınmaya qarşı müstəsna müqavimət göstərir, hətta uzunmüddətli istifadədən sonra da halqanın ölçü bütövlüyünü və performans xüsusiyyətlərini qoruyur.

CVD Silicon Carbide-dən hazırlanmış Semicorex Bulk SiC Ring yarımkeçirici aşındırma prosesində əvəzsiz komponent kimi dayanır. Yüksək istilik keçiriciliyi, mexaniki möhkəmlik, kimyəvi təsirsizlik və aşınmaya və eroziyaya qarşı müqaviməti əhatə edən müstəsna atributları onu plazma aşındırmanın tələbkar şərtləri üçün ideal şəkildə uyğunlaşdırır. Vahid aşındırmanı dəstəkləyən və digər komponentləri çirklənmədən qoruyan sabit və etibarlı maneə təmin etməklə, Bulk SiC Ring müasir elektronika istehsalında dəqiqliyi və keyfiyyəti təmin edərək ən müasir yarımkeçirici cihazların istehsalında mühüm rol oynayır.