Epitaksial tək kristal Si Plitəsi

Epitaksial tək kristal Si Plitənin əsas atributu onun üstün sıxlığındadır. Qrafit substratın silisium karbid örtüyü ilə inteqrasiyası yüksək temperatur və korroziyalı mühitlərdə rast gəlinən ciddi şərtlərdən qorunmaqda mahir olan hərtərəfli sıxlıq verir. Üstəlik, monokristalların sintezi üçün nəzərdə tutulmuş silisium karbidlə örtülmüş suseptor müstəsna dərəcədə bərabər səth profilinə malikdir - qüsursuz keyfiyyətdə vaflilərin davamlı istehsalı üçün vacib şərtdir.

Məhsulumuzun dizaynı üçün eyni dərəcədə əsas olan qrafit nüvəsi və onun silisium karbid örtüyü arasındakı istilik genişlənməsi uyğunsuzluğunun azaldılmasıdır. Belə bir yenilik yapışdırıcının möhkəmliyini nəzərəçarpacaq dərəcədə artırır, beləliklə, çatlaqlar və təbəqələşmə hadisələrinin qarşısını alır. Buna uyğun olaraq, Epitaksial Tək Kristal Si Plate yüksək istilik keçiriciliyi nümayiş etdirir və vahid istilik paylanması üçün təqdirəlayiq bir meyl göstərir - istehsal dövrü ərzində temperaturun homojenliyinə nail olmaqda mühüm rol oynayan amillər.

Bundan əlavə, Epitaksial Təkkristal Si Plitəsi yüksək temperaturda oksidləşdirici və korroziyaya uğramağa qarşı təqdirəlayiq davamlılıq nümayiş etdirir və onun uzunömürlülüyünü və etibarlılığını dəstəkləyir. Onun istilik dözümlülüyü üçün həddi əhəmiyyətli bir ərimə nöqtəsi ilə vurğulanır və beləliklə, təcrübəli yarımkeçirici istehsalına xas olan tələbkar istilik mühitinə tab gətirmək qabiliyyətini təmin edir.