> Məhsullar > Gofret > SiC Substrat > 4" 6" Yüksək Saflıqda Yarıizolyasiyalı SiC Külçə

Məhsullar

yeni məhsullar

4" 6" Yüksək Saflıqda Yarıizolyasiyalı SiC Külçə

Semicorex 4 düym və 6 düym olan yüksək təmizlikli yarı izolyasiya edən SiC külçəsini təmin edir. Biz uzun illərdir ki, vafli istehsalçısı və təchizatçısıyıq. 4" 6" Yüksək Təmizlikli Yarı İzolyasiyalı SiC Külçəmiz yaxşı qiymət üstünlüyünə malikdir və Avropa və Amerika bazarlarının əksəriyyətini əhatə edir. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

4" 6" Yüksək Təmizlikli Yarı İzolyasiyalı SiC Külçəmiz yaxşı qiymət üstünlüyünə malikdir və Avropa və Amerika bazarlarının əksəriyyətini əhatə edir. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.

4 düymlük yarı izolyasiya edən SiC külçə spesifikasiyası
Əşyalar	İstehsal dərəcəsi	Dummy Dərəcəsi
Politip	4H
Müqavimət/ohm ·sm	BU
Diametri	100,25±0,25 mm
Qalınlıq	≥15 mm
Səth oriyentasiya xətası	0±0,2°
İlkin düz oriyentasiya	[1- 100]±5.0°
İlkin düz uzunluq	32,5±1,5 mm
İkinci dərəcəli mənzil	İlkin ±5,0°-dən 90,0°CW, silikon üzü yuxarı
İkinci dərəcəli düz uzunluq	17±1,5 mm
Mikroborunun sıxlığı	≤1 ea/sm2	≤10 e/sm2
Kənar çatları	≤3-dən，≤1mm/ea	≤5-dən，≤3mm/ea
Politip sahələr	Heç biri	≤5% sahə
Kənar girintiləri	≤3 ea，≤1mm eni və dərinliyi	≤5 ea，≤2mm eni və dərinliyi
Etiket	C üz
Qablaşdırma	vahid-külçə kaset, vakuum qablaşdırma

6 düymlük yarı izolyasiya edən SiC külçə spesifikasiyası
Əşyalar	İstehsal dərəcəsi	Dummy Dərəcəsi
Politip	4H
Müqavimət/ohm ·sm	BU
Diametri	150,25±0,25 mm
Qalınlıq	≥10 mm
Səth oriyentasiya xətası	0±0,25°
Çentik oriyentasiyası	[1- 100]±5.0°
Çəngəl dərinliyi	1~1,25 mm
Mikroborunun sıxlığı	≤1 ea/sm2	≤10 e/sm2
Kənar çatları	≤3-dən，≤1mm/ea	≤5-dən，≤3mm/ea
Politip sahələr	Heç biri	≤5% sahə
Kənar girintiləri	≤3 ea，≤1mm eni və dərinliyi	≤5 ea，≤2mm eni və dərinliyi
Etiket	C üz
Qablaşdırma	vahid-külçə kaset, vakuum qablaşdırma