N tipli silisium karbid tozu

Semicorex N-tipli Silikon Karbid tozu (SiC) xüsusi olaraq təkmil kristal böyüməsi tətbiqləri üçün nəzərdə tutulmuş yüksək saflıqlı, qatqılı SiC materialıdır. Bu N-tipli Silikon Karbid tozu üstün elektrik xassələri və struktur bütövlüyü ilə xarakterizə olunur və onu müxtəlif yüksək performanslı yarımkeçirici cihazlarda istifadə edilən silisium karbid kristallarının istehsalı üçün ideal seçim edir.

N-tipli Silikon Karbid tozuna azot (N) qatılır ki, bu da SiC kristal şəbəkəsinə əlavə sərbəst elektronlar daxil edərək onun elektrik keçiriciliyini artırır. Bu N-tipli dopinq dəqiq elektron xüsusiyyətlər tələb edən tətbiqlər üçün çox vacibdir. N-tipli Silikon Karbid tozu kristal böyümə prosesinə və son məhsulun performansına təsir göstərə biləcək çirklərin mövcudluğunu minimuma endirərək yüksək saflıq səviyyəsinə nail olmaq üçün ciddi təmizləmə proseslərindən keçir.

Semicorex N-tipli Silikon Karbid tozu vahid kristal böyüməsini təşviq edən və silisium karbid kristallarının ümumi keyfiyyətini yaxşılaşdıran incə, vahid ölçülü hissəciklərdən ibarətdir.

Əsasən silisium karbid kristallarının böyüməsində istifadə edilən bu N-tipli Silikon Karbid tozu yüksək güclü elektron cihazların, yüksək temperatur sensorlarının və müxtəlif optoelektronik komponentlərin istehsalında ayrılmazdır. Yarımkeçirici sənayesində tədqiqat və inkişafda istifadə üçün də uyğundur.

Xüsusiyyətlər

Tətbiqlər:

Silicon Carbide Crystal Growth: Yüksək keyfiyyətli SiC kristallarının yetişdirilməsi üçün mənbə materialı kimi istifadə olunur.

Yarımkeçirici Cihazlar: Yüksək güclü və yüksək tezlikli elektron komponentlər üçün idealdır.

Yüksək Temperatur Elektronikası: Ekstremal şəraitdə möhkəm performans tələb edən proqramlar üçün uyğundur.

Optoelektronika: Fövqəladə istilik və elektrik xüsusiyyətləri tələb edən cihazlarda istifadə olunur.