Epitaksial vafli qayıq

Semicorex həm şaquli / sütun, həm də üfüqi konfiqurasiyalar üçün vafli qayıqlar, postamentlər və xüsusi vafli daşıyıcıları təmin edir. Biz uzun illər silisium karbid örtük filminin istehsalçısı və təchizatçısıyıq. Epitaksial vafli qayıqımız yaxşı qiymət üstünlüyünə malikdir və Avropa və Amerika bazarlarının əksəriyyətini əhatə edir. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

Yarımkeçirici istehsalında vafli emalı üçün mükəmməl həll olan Semicorex Epitaxial Wafer Boat. Epitaksial vafli qayıqlarımız yüksək temperaturlara və kimyəvi korroziyaya qarşı üstün müqavimət göstərən yüksək keyfiyyətli silisium karbiddən (SiC) hazırlanmışdır.
Silisium karbid Epitaksial Gofret Qayıqımız məhsullarınız üçün ən yüksək təmizlik səviyyəsini təmin edərək hissəciklərin əmələ gəlməsini minimuma endirən hamar səthə malikdir. Mükəmməl istilik keçiriciliyi və üstün mexaniki gücü ilə qayıqlarımız ardıcıl və etibarlı nəticələr verir.
Epitaksial vafli qayıqlarımız bütün standart vafli emal avadanlığı ilə uyğun gəlir və 1600°C-ə qədər olan temperaturlara tab gətirə bilir. Onları idarə etmək və təmizləmək asandır, bu da onları istehsal ehtiyaclarınız üçün sərfəli və səmərəli seçim halına gətirir.
Mütəxəssislərdən ibarət komandamız ən yaxşı keyfiyyət və xidməti təqdim etməyə sadiqdir. Xüsusi tələblərinizə cavab vermək üçün xüsusi dizaynlar təklif edirik və məhsullarımız keyfiyyət təminatı proqramımızla dəstəklənir.

Epitaksial vafli qayığın parametrləri

Texniki xüsusiyyətlər
indeks	Vahid	Dəyər
Materialın adı		Reaksiya Sinterləşdirilmiş Silisium Karbid	Təzyiqsiz Sinterlənmiş Silisium Karbid	Yenidən kristallaşdırılmış silisium karbid
Tərkibi		RBSiC	SSiC	R-SiC
Kütləvi sıxlıq	q/sm3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Bükülmə Gücü	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Sıxılma Gücü	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Sərtlik	Düymə	2700	2800	/
Dözümlülük	MPa m1/2	4.5	4	/
İstilik keçiriciliyi	W/m.k	95	120	23
İstilik genişlənmə əmsalı	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Xüsusi İstilik	Joule/q 0k	0.8	0.67	/
Havada maksimum temperatur	℃	1200	1500	1600
Elastik modul	Gpa	360	410	240

SSiC və RBSiC arasındakı fərq:

1. Sinterləmə prosesi fərqlidir. RBSiC aşağı temperaturda sərbəst Si-ni silisium karbidinə sızdırmaqdır, SSiC 2100 dərəcədə təbii büzülmə nəticəsində əmələ gəlir.

2. SSiC daha hamar səthə, daha yüksək sıxlığa və daha yüksək gücə malikdir, daha ciddi səth tələbləri olan bəzi sızdırmazlıqlar üçün SSiC daha yaxşı olacaqdır.

3. Fərqli PH və temperatur altında fərqli istifadə müddəti, SSiC RBSiC-dən daha uzundur

Silikon karbid epitaksial vafli qayığın xüsusiyyətləri

MOCVD ilə örtülmüş yüksək təmizlik SiC
Üstün istilik müqaviməti və istilik vahidliyi
Hamar bir səth üçün incə SiC kristalla örtülmüşdür
Kimyəvi təmizləməyə qarşı yüksək davamlılıq
Material çatlar və delaminasiyaların baş verməməsi üçün nəzərdə tutulmuşdur.