TAC örtükləri yarım ay hissəsi

TAC keramikasında 3880 ° C, yüksək sərtlik (MOHS Hardness 9-10), böyük istilik keçiriciliyi (22w · m-1 · k-1), böyük əyilmə gücü (340-400MPA) və kiçik istilik genişləndirmə əmsalı var (6.6 × 10-6k-1). Həm də əla termokimyəvi sabitlik və əla fiziki xüsusiyyətləri nümayiş etdirir və qrafit və C / C kompozisiyaları ilə yaxşı kimyəvi və mexaniki uyğunluğa malikdirlər. Buna görə, TAC örtükləri aerokosmik istilik qorunması, vahid kristal böyüməsi, enerji elektronikası və tibbi cihazlarda geniş istifadə olunur.

TAC örtüklü qrafit, çılpaq qrafitdən və ya sic örtüklü qrafitdən daha yaxşı kimyəvi korroziyaya qarşı müqavimətinə malikdir, 2600 ° yüksək temperaturda sabit istifadə edilə bilər və bir çox metal elementlə reaksiya vermir. Üçüncü nəsil yarımkeçiricisi vahid büllur böyüməsi və vafli titrəmə ssenarilərində ən yaxşı örtükdür və prosesdə temperatur və çirklərin nəzarətini əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdıra bilər və yüksək keyfiyyətli silikon karbid və əlaqəli epitaxial wafter hazırlayır. MOCVD avadanlığı və pvt avadanlıqları olan SIC tək kristalları olan bir tək kristal və ya aln tək kristallar üçün xüsusilə uyğundur. Yetişən tək kristalların keyfiyyəti xeyli yaxşılaşır.

Bu məhsul, epitaxy proseslərində dəqiqlik, səmərəlilik və davamlılığı prioritetləşdirən istehsalçılar üçün ideal bir həlldir. Yarımkeçirici sənayenin inkişaf edən ehtiyaclarını ödəmək üçün hazırlanmış yüksək performanslı həllər üçün etibarlı semikorex.