Semicorex SiC örtüklü epitaksial reaktor lüləsi yüksək təmizlikdə SiC ilə örtülmüş yüksək keyfiyyətli qrafit məhsuludur. Mükəmməl sıxlığı və istilik keçiriciliyi onu LPE proseslərində istifadə üçün ideal seçim edir, korroziyalı və yüksək temperaturlu mühitlərdə müstəsna istilik paylanması və mühafizəni təmin edir.
Yarımkeçiricilərin istehsalına gəldikdə, Semicorex SiC örtüklü epitaksial reaktor lüləsi üstün performans və müstəsna istilik paylanması üçün əsas seçimdir. Yüksək təmizlikdə SiC ilə örtülmüş bu qrafit məhsulu hər dəfə etibarlı və ardıcıl nəticələr təmin edərək, əla korroziya və istilik müqavimətini təmin edir.
Semicorex-də biz müştərilərimizə yüksək keyfiyyətli, sərfəli məhsullar təqdim etməyə diqqət yetiririk. SiC örtüklü epitaksial reaktor barelimiz qiymət üstünlüyünə malikdir və bir çox Avropa və Amerika bazarlarına ixrac olunur. Ardıcıl keyfiyyətli məhsullar və müstəsna müştəri xidməti təqdim edərək uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı hədəfləyirik.
SiC örtüklü epitaksial reaktor barelinin parametrləri
CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri |
||
SiC-CVD Xüsusiyyətləri |
||
Kristal strukturu |
FCC β mərhələsi |
|
Sıxlıq |
q/sm³ |
3.21 |
Sərtlik |
Vickers sərtliyi |
2500 |
Taxıl ölçüsü |
μm |
2~10 |
Kimyəvi Saflıq |
% |
99.99995 |
İstilik tutumu |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimasiya temperaturu |
℃ |
2700 |
Feleksual Gücü |
MPa (RT 4 bal) |
415 |
Young's Modulu |
Gpa (4pt əyilmə, 1300â) |
430 |
Termal Genişlənmə (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
İstilikkeçirmə |
(Vt/mK) |
300 |
SiC örtüklü epitaksial reaktor barelinin xüsusiyyətləri
- Həm qrafit substratı, həm də silisium karbid təbəqəsi yaxşı sıxlığa malikdir və yüksək temperatur və aşındırıcı iş mühitlərində yaxşı qoruyucu rol oynaya bilər.
- Tək kristalların böyüməsi üçün istifadə edilən silisium karbidlə örtülmüş sensor çox yüksək səth düzlüyünə malikdir.
- Qrafit substratı və silisium karbid təbəqəsi arasında istilik genişlənmə əmsalı fərqini azaldın, çatlama və delaminasiyanın qarşısını almaq üçün yapışma gücünü effektiv şəkildə yaxşılaşdırın.
- Həm qrafit substrat, həm də silisium karbid təbəqəsi yüksək istilik keçiriciliyinə və əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə malikdir.
- Yüksək ərimə nöqtəsi, yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti, korroziyaya davamlılıq.