Epitaksial Prosesdə Aşağı Bölmələr üçün İkinci Yarım Hissələr

Epitaksial Prosesdə Aşağı Bölmələr üçün İkinci Yarım Hissələr epitaksial reaktorda qaz axınını optimallaşdırmaq üçün strateji olaraq hazırlanmış fərqli yarımsilindrik formaya malikdir. CVD SiC örtükləri ilə yüksək keyfiyyətli qrafitdən hazırlanmış bu hissələr müstəsna davamlılığa və istilik sabitliyinə zəmanət verir. Yarımkeçiricilərin istehsalının sərtliyinə tab gətirmək üçün hazırlanmışdır, onlar avadanlıqlarınızın uzunömürlülüyünə və etibarlılığına töhfə verir.
Komponentlər qaz axını optimallaşdırmaq, epitaksial böyümə prosesi zamanı materialların səmərəli paylanmasını və çökdürülməsini təmin etmək üçün mürəkkəb şəkildə hazırlanmışdır. Bu, yarımkeçirici vaflilərdə üstün təbəqə keyfiyyəti ilə nəticələnir.

Tətbiqlər:

Yarımkeçiricilər istehsalında epitaksial reaktorlar üçün hazırlanmışdır.

Dəqiq və vahid epitaksial böyüməyə nail olmaq üçün kritik komponentlər.

Epitaksial Prosesdə Aşağı Bölmələr üçün İkinci Yarım Hissələrimizlə yarımkeçirici istehsal imkanlarınızı artırın. Artırılmış davamlılıq üçün CVD SiC ilə örtülmüş yarım silindrik komponentlərimizin yeniliyinə və etibarlılığına etibar edin. Optimal performansı və ardıcıl epitaksial təbəqə keyfiyyətini təmin edən bu qabaqcıl fitinqlər ilə yarımkeçirici texnologiyanın ön sıralarında qalın. Epitaksial Prosesdə Aşağı Bölmələr üçün İkinci Yarım Hissələri seçin - burada dəqiqlik tərəqqi ilə uyğun gəlir.