C/C Qızdırıcı

Qabaqcıl yarımkeçirici və fotovoltaik istehsalda yüksək keyfiyyətli kristal strukturlara nail olmaq üçün dəqiq istilik nəzarəti vacibdir. Semicorex C/C Qızdırıcısı (Karbon/Karbon Əsas Qızdırıcısı) müstəsna istilik vahidliyi və sabitliyi təmin etmək üçün hazırlanmışdır ki, bu da onu yüksək temperaturlu kristal inkişaf sistemlərində mühüm komponentə çevirir.

Yuxarıda göstərilən C/C Qızdırıcısı, cərəyan paylanması və istilik radiasiyasını optimallaşdırmaq üçün nəzərdə tutulmuş, dəqiq kəsilmiş yuvaları olan seqmentləşdirilmiş halqa quruluşuna malikdir. Bu konfiqurasiya istilik zonası boyunca yüksək dərəcədə vahid istilik istehsalına imkan verir, termal qradientləri effektiv şəkildə minimuma endirir və ardıcıl kristal artım şəraitini dəstəkləyir. Temperatur dəqiqliyinin materialın keyfiyyətinə və məhsuldarlığına birbaşa təsir etdiyi monokristal silisium (CZ üsulu) və polikristal silikon istehsalı kimi proseslərdə geniş istifadə olunur.

Ənənəvi qrafit qızdırıcıları tez-tez təkrarlanan yüksək temperatur dövrlərində mexaniki uzunömürlülük və istilik deformasiyası ilə mübarizə aparır.C/C kompozitləri, yüksək güclü karbon lifləri ilə gücləndirilmiş, üstün alternativ təklif edir. Karbon lifləri ilə gücləndirilmiş karbon matrisindən istifadə etməklə, C/C qızdırıcısı müstəsna struktur bütövlüyünü qoruyur, eyni zamanda silikon külçənin böyüməsi zamanı ərimə-bərk interfeysinə nəzarət etmək üçün lazım olan dəqiq temperatur gradientlərini təmin edir.

Əsas Xüsusiyyətlər:

Sıxlıq: ≥1,50 q/sm³

İstilik keçiriciliyi (RT): ≥40 W/(m·K)

Elektrik Müqaviməti (RT): 20–30 μΩ·m

Elektrik Müqaviməti (Yüksək Temperatur): 14–20 μΩ·m

Silikon artımı üçün əsas üstünlüklər

1. Müstəsna Termal Uniformity

C/C Əsas Qızdırıcının əsas funksiyası istiliyin simmetrik paylanmasını təmin etməkdir. Monokristal silisium artımında hətta temperatur qradiyentində cüzi bir dalğalanma oksigen yağıntısı problemlərinə və ya dislokasiyalara səbəb ola bilər. Qızdırıcılarımızın liflə gücləndirilmiş strukturu istiliyin tige boyunca bərabər şəkildə yayılmasını təmin edir və sabit böyümə sürətini təmin edir.

2. Təkmilləşdirilmiş Kimyəvi Saflıq

Çirklənmə yarımkeçiricilərin səmərəliliyinin düşmənidir. Kül tərkibinin minimum səviyyədə (adətən <20ppm) saxlanmasını təmin etmək üçün K/C qızdırıcılarımız yüksək temperaturda təmizləmə proseslərindən keçir. Bu, N-tipli və ya P-tipli vaflilər üçün tələb olunan yüksək müqaviməti və daşıyıcı ömrünü təmin edərək, metal çirklərinin silisium əriməsinin içərisinə qarışmasının qarşısını alır.

3. Uzunömürlülük və Xərc Effektivliyi

Standart izostatik qrafitlə müqayisədə,C/C kompozitləridaha yüksək güc-çəki nisbətinə malikdir. Onlar termal şoka yüksək davamlıdırlar və 1500 ℃-dən yuxarı temperaturda uzun müddət istifadə edildikdən sonra kövrək olmurlar. Bu davamlılıq fab operatorları üçün daha az soba sökülməsi və daha aşağı ümumi sahiblik xərcləri ilə nəticələnir.

Yarımkeçiricilər sənayesində tətbiqlər

Əsasən Silikon Çekmecelerde (CZ Ocaqlarında) mərkəzi istilik elementi kimi istifadə olunsa da, bu C/C qızdırıcıları da aşağıdakıların ayrılmaz hissəsidir:

Polisilikon reduksiya sobaları: Kimyəvi buxar çökmə prosesi üçün sabit istilik təmin edir.

Yüksək temperaturlu vakuum sobaları: Qabaqcıl keramika materiallarının sinterlənməsi və tavlanması üçün.