Aln qızdırıcıları

Semikorex Aln Yarımkeçirici üçün qızdırıcılar istilik yarımkeçirici materiallar üçün istifadə olunan bir cihazdır. Əsasən hazırlanmışdırAlüminium nitride keramikaMaterial, əla istilik keçiriciliyi və yüksək temperatur müqavimətinə malikdir və yüksək temperaturda sabit işləyə bilər. Qızdırıcının ümumiyyətlə bir istilik elementi kimi bir müqavimət teli istifadə edir. İstilik üçün müqavimət telini enerjiyə gətirərək, istilik yarımkeçirici materialın istiliyinə nail olmaq üçün qızdırıcının səthinə köçürülür. Yarımkeçirici üçün ALN ​​qızdırıcıları yarımkeçirici istehsal prosesində mühüm rol oynayır və büllur böyüməsi, yumrulama və çörəkçilik kimi proseslərdə istifadə edilə bilər.

Yarımkeçirici istehsalın ön tərəfində (FEOL), vaflonda müxtəlif proses müalicəsi yerinə yetirilməlidir, xüsusən də vaflonun müəyyən bir temperatura istiləşməsi və ciddi tələblər var, çünki temperaturun vahidliyi məhsul məhsuldarlığına çox vacib təsir göstərir; Eyni zamanda, yarımkeçirici avadanlıq, vakuum, plazma və kimyəvi qazların mövcud olduğu bir mühitdə də, keramika qızdırıcılarının (keramika qızdırıcısının) istifadəsini tələb edən bir mühitdə də işləməlidir. Seramik qızdırıcılar yarımkeçirici nazik film çəngəl avadanlıqlarının vacib komponentləridir. Proses Palatasında istifadə olunur və vafdanı sabit və vahid bir proses istiliyi əldə etmək və reaksiya vermək və yüksək dəqiqliklə reaksiya vermək və incə filmlər yaratmaq üçün gofretlə birbaşa əlaqə qurun.

Keramika qızdırıcıları üçün nazik film çöküntü avadanlıqları ümumiyyətlə əsaslı keramika materiallarından istifadə edirAlüminium nitridi (ALN)cəlb olunan yüksək temperatur səbəbiylə. Alüminium nitride elektrik izolyasiyası və əla istilik keçiriciliyi var; Bundan əlavə, onun istilik genişləndirilməsi əmsalı silikonun yaxındır və bu, mükəmməl plazma müqavimətinə malikdir, yarımkeçirici cihaz komponenti kimi istifadə üçün çox uyğundur.

Aln qızdırıcılarına gofreti daşıyan bir keramika bazası və arxa tərəfində onu dəstəkləyən silindrik bir dəstək orqanı daxildir. Keramika bazasının içərisində və ya səthində, istilik üçün müqavimət elementi (istilik qatının) əlavə olaraq bir RF elektrod (RF qat) var. Sürətli istilik və soyutma nail olmaq üçün keramika bazasının qalınlığı incə olmalıdır, lakin çox incə də möhkəmliyi azaldır. ALN qızdırıcılarının dəstək orqanı ümumiyyətlə bazanın buna bənzər bir termal genişləndirmə əmsalı olan bir materialdan hazırlanmışdır, buna görə dəstək orqanı tez-tez alüminium nitriddən hazırlanmışdır. ALN qızdırıcıları terminalları və məftilləri plazmanın və aşındırıcı kimyəvi qazların təsirindən qorumaq üçün bir mil (mil) birgə dibinin bənzərsiz bir quruluşu qəbul edirlər. Qızdırıcının vahid temperaturunu təmin etmək üçün bir istilik ötürmə qazı və çıxış borusu təmin edilir. Baza və dəstək orqanı kimyəvi cəhətdən bir bağlama təbəqəsi ilə bağlanır.

Bir müqavimət istilik elementi qızdırıcı bazasında basdırılır. Bir spiral və ya konsentrik bir dairə dövrə naxışını yaratmaq üçün keçirici pasta (volfram, molibden və ya tantal) ilə ekran çapı ilə formalaşır. Əlbəttə, metal tel, metal mesh, metal folqa və s. Də istifadə edilə bilər. Ekran çap üsulundan istifadə edərkən eyni formanın iki keramika plitəsi hazırlanır və keçirici pastanın onlardan birinin səthinə tətbiq olunur. Sonra, müqavimətli bir istilik elementi yaratmaq üçün şirindir və digər keramika plitəsi bazada basdırılmış bir rezistor elementi etmək üçün müqavimətli istilik elementi ilə üst-üstə düşür.

Alüminium nitrid keramikalarının istilik keçiriciliyinə təsir edən əsas amillər, alüminium nitrid keramikasının istilik keçiriciliyinə təsir edəcək, oksigen tərkibi, toz saflığı, mikrostruktur və s.