SiC Epitaksiyası

Epitaksiyanın iki növü var: homojen və heterojen. Müxtəlif tətbiqlər üçün xüsusi müqavimət və digər parametrləri olan SiC cihazlarını istehsal etmək üçün istehsala başlamazdan əvvəl substrat epitaksiya şərtlərinə cavab verməlidir. Epitaksiyanın keyfiyyəti cihazın işinə təsir göstərir.

Hal-hazırda iki əsas epitaksial üsul var. Birincisi, SiC filminin keçirici SiC substratında yetişdirildiyi homojen epitaksiyadır. Bu, ilk növbədə MOSFET, IGBT və digər yüksək gərginlikli yarımkeçirici sahələr üçün istifadə olunur. İkincisi, GaN filminin yarı izolyasiya edən SiC substratında yetişdirildiyi heteroepitaksial böyümədir. Bu, GaN HEMT və digər aşağı və orta gərginlikli yarımkeçiricilər, həmçinin radio tezliyi və optoelektronik cihazlar üçün istifadə olunur.

Epitaksial proseslərə sublimasiya və ya fiziki buxar daşınması (PVT), molekulyar şüa epitaksisi (MBE), maye faza epitaksisi (LPE) və kimyəvi buxar fazasının epitaksisi (CVD) daxildir. Əsas SiC homogen epitaksial istehsal üsulu, Si və C-nin mənbəyi kimi silan (SiH4) və propan (C3H8) olmaqla, daşıyıcı qaz kimi H2-dən istifadə edir. SiC molekulları yağıntı kamerasında kimyəvi reaksiya nəticəsində istehsal olunur və SiC substratında çökdürülür. .

SiC epitaksiyasının əsas parametrlərinə qalınlıq və dopinq konsentrasiyasının vahidliyi daxildir. Aşağı axın cihazının tətbiqi ssenarisi gərginliyi artdıqca, epitaksial təbəqənin qalınlığı tədricən artır və dopinq konsentrasiyası azalır.

SiC tutumunun qurulmasında məhdudlaşdırıcı amillərdən biri epitaksial avadanlıqdır. Epitaksial böyümə avadanlıqları hazırda İtaliyanın LPE, Almaniyanın AIXTRON və Yaponiyanın Nuflare və TEL şirkətlərinin inhisarındadır. Əsas SiC yüksək temperaturlu epitaksial avadanlıqların çatdırılması dövrü təxminən 1,5-2 ilə qədər uzadılıb.

Semicorex LPE, Aixtron və s. kimi yarımkeçirici avadanlıqlar üçün SiC hissələri təmin edir. Əgər hər hansı bir sorğunuz varsa və ya əlavə məlumatlara ehtiyacınız varsa, bizimlə əlaqə saxlamaqdan çəkinməyin.

Əlaqə telefonu +86-13567891907

E-poçt: sales@semicorex.com