Yarımkeçirici dərəcəli kvars potalar

Semicorex yarımkeçirici dərəcəlikvars tigelərielektrik qövsü əritmə prosesi ilə istehsal olunur. Onların üç qatlı kompozit strukturu yüksək təmizlikli daxili şəffaf təbəqədən, ara keçid təbəqəsindən və xarici qabarcıqlı kompozit təbəqədən ibarətdir. Bu təbəqələr üstün mexaniki güc, optimallaşdırılmış istilik idarəetmə performansı və qənaətcillik yaratmaq üçün sinerji ilə işləyir.

Yarımkeçirici dərəcəli Kvars Crucibles Üstünlükləri

1. Yüksək Saflıq:

Semiconductorex yarımkeçirici dərəcəli kvars tigeləri misilsiz ultra yüksək təmizliyə malikdir, tərkibində çirklilik (məsələn, Al, Fe, Ca, Mg) ppm və ya hətta ppb səviyyəsində ciddi şəkildə idarə olunur. Bu təmizliyə nəzarət monokristal silisiumun böyüməsi prosesi zamanı çirkin çirklənməsinin qarşısını effektiv şəkildə alır, beləliklə mənbədən yarımkeçirici silikon vaflilərin elektrik performansını və məhsuldarlığını qoruyur.

2. Əla Yüksək Temperatur Müqaviməti

Semicorex yarımkeçirici dərəcəlikvarsTitalar 1100 ℃ yüksək temperatur mühitində davamlı olaraq istifadə edilə bilər və 1450 ℃ qısamüddətli yüksək temperaturlara davam edə bilər. Bu xüsusiyyət sayəsində Semicorex yarımkeçirici dərəcəli kvars tigeləri yarımkeçirici istehsalının yüksək temperatur tələblərinə tam cavab verə bilər və yüksək temperatur deformasiyası və ya yumşalma nəticəsində yaranan kristalın çəkilməsi nasazlığının qarşısını alır.

3. Müstəsna İstilik Sabitliyi

Semicorex yarımkeçirici dərəcəli kvars tigeləri aşağı istilik genişlənmə əmsalı var ki, bu da onlara sürətli isitmə və ya soyutma zamanı struktur sabitliyini qorumağa imkan verir və istilik gərginliyi nəticəsində çatlama və ya deformasiyanı minimuma endirir. Bundan əlavə, əla istilik keçiriciliyindən bəhrələnən Semicorex yarımkeçirici dərəcəli kvars tigeləri temperatur sahəsinin vahid və sabit paylanmasına nail olmağa kömək edə bilər və bununla da monokristal silikon çubuqların keyfiyyətini və tutarlılığını yaxşılaşdırır.

4. Daxili təbəqədə aşağı qabarcıq məzmunu

Semicorex yarımkeçirici dərəcəli kvars tigelərin daxili şəffaf təbəqəsi ciddi nəzarət vasitəsilə son dərəcə aşağı qabarcıq sıxlığına nail ola bilər. Bu, monokristal silisiumun böyüməsi üzərində əməliyyat zamanı qabarcıqların genişlənməsi və qırılmasının müdaxiləsini minimuma endirə bilər və bununla da monokristal silikon çubuqların qüsur dərəcəsini azalda bilər.