Cvd tac örtülmüş üzüklər

Semikorex CVD TAC örtülmüş üzüklər, xüsusən də, xüsusən yönləndirmə və czochralski (CZ) çəkmə sistemləri daxilində büllur artım prosesi üçün hazırlanmış dəqiq mühəndisləşdirilmiş komponentlərdir. Bu CVD TAC örtülmüş üzüklər, "axın bələdçisi üzükləri" və ya "qaz defektizat üzükləri" və ya "Qaz Döşəmələri" və ya "Qaz Dönməsi Üzükləri" adlandırılan "Qaz Döşəmə Üzükləri" kimi deyilənlər və ya "Qaz Döngəsi Üzükləri" kimi tənqidi rol oynayır və Kristal Böyümə Fazası

Silikon karbid vafli böyüməsini nümunə olaraq qəbul etmək, qrafit materialları və termal sahə materiallarında karbon-karbon kompozit materialları, mürəkkəb atmosfer (si, sic₂, si₂c) prosesi 2300 ℃-də qarşılamaq çətindir. Yalnız xidmət həyatı qısa, fərqli hissələr hər birindən on sobaya dəyişdirilir və yüksək temperaturda qrafitin dializi və uçotu ilə karbon daxilolmaları kimi kristal qüsurlara asanlıqla səbəb ola bilər. Yarımkeçirici kristalların yüksək keyfiyyətli və sabit böyüməsini təmin etmək və sənaye istehsalının dəyərini nəzərə alsaq, ultra yüksək temperaturun məyuslu-davamlı keramika örtükləri qrafit hissələrinin həyatını uzatacaq, çirkli miqrasiyanı inhibə və kristal saflığını yaxşılaşdıracaqdır. Silikon karbidinin epitaksial böyüməsində, silikon karbid örtüklü qrafit xəstəliyi ümumiyyətlə kristal substratları daşımaq və istiləşdirmək üçün istifadə olunur. Onların xidmət ömrü hələ də yaxşılaşdırılması lazımdır və interfeysdəki silikon karbid yataqları mütəmadi olaraq təmizlənməlidir. Əksinə,Tantal Carbide (Tac) örtükləriKorroziv atmosferlərə və yüksək temperaturlara daha davamlıdır və bu cür sic kristalları üçün əsas texnologiya "böyümək, qalınlaşmaq və yaxşı böyüymək" üçün əsas texnologiyadır.

TAC 3880 ℃ qədər ərimə nöqtəsi var və yüksək mexaniki gücü, sərtliyə və istilik şok müqavimətinə malikdir; Yüksək temperaturda ammonyak, hidrogen və silikon ehtiva edən buxar üçün yaxşı kimyəvi inertness və istilik sabitliyi var. TAC örtükləri ilə örtülmüş qrafit (karbon-karbon kompozit) materiallar çox güman ki, ənənəvi yüksək təmizlik qrafitini, pbn örtükləri, sic örtüklü hissələri və s. Bununla birlikdə, qrafitin səthində sıx, forma və qırıq olmayan Tac örtüklərinin hazırlanmasına və sənaye kütləvi istehsalını təşviq etmək üçün hələ bir çox problem var. Bu müddətdə, örtüklərin qorunması mexanizmini araşdırmaq, istehsal prosesinin yenilənməsi və ən yaxşı xarici səviyyədə rəqabət üçüncü nəsil yarımkeçirici kristal böyüməsi və epitaxy üçün çox vacibdir.

Adi qrafit dəsti və bir dəst istifadə edərək SIC PVT prosesi vəCVD TAC örtülmüşdürÜzüklər, artım temperaturunda dəyişikliklərə səbəb ola biləcək temperatur paylanmasına təsirini başa düşmək üçün modelləşdirilmişdir. CVD TAC örtülmüş üzüklərin mövcud qrafitlə müqayisədə daha vahid temperatur əldə ediləcəyi göstərilir. Bundan əlavə, TAC örtüyünün əla istilik və kimyəvi sabitliyi, karbonun SI buxarı ilə reaksiyasına mane olur. Nəticədə, TAC örtükləri radial istiqamətdə c / si paylamasını daha çox forma verir.