Tantal karbid hissəsi

Semicorex Tantal Carbide Part, silisium karbid (SiC) kristallarının böyüməsi tətbiqlərində yüksək performanslı istifadə üçün xüsusi olaraq hazırlanmış, möhkəm TaC örtüklü xüsusi qrafit komponentidir. Bu hissə davamlılıq, kimyəvi sabitlik və gücləndirilmiş istilik müqavimətinin birləşməsini təklif edən SiC kristal istehsalı ilə əlaqəli yüksək temperaturlu mühitlərin ciddi tələblərinə cavab vermək üçün hazırlanmışdır.

Silisium karbid (SiC) istehsal prosesində Tantal Karbid hissəsi sabit temperatur nəzarətinin və yüksək təmizlik mühitinin vacib olduğu kristalların böyüməsi mərhələlərində mühüm rol oynayır. SiC kristalının böyüməsi, struktur bütövlüyünü pozmadan və ya böyüyən kristalı çirkləndirmədən həddindən artıq temperaturlara və korroziyalı mühitlərə davam edə bilən materiallar tələb edir. TaC ilə örtülmüş qrafit komponentləri, termal dinamika üzərində dəqiq nəzarəti təmin edən və optimal SiC kristal keyfiyyətinə töhfə verən unikal xüsusiyyətlərinə görə bu vəzifə üçün çox uyğundur.

Tantal karbid örtüyünün üstünlükləri:

Yüksək temperatur müqaviməti:Tantal karbid 3800°C-dən yuxarı ərimə nöqtəsinə malikdir və bu onu mövcud olan ən temperatura davamlı örtüklərdən birinə çevirir. Bu yüksək istilik tolerantlığı, sabit temperaturun vacib olduğu SiC artım proseslərində əvəzolunmazdır.

Kimyəvi Sabitlik:TaC yüksək temperatur şəraitində reaktiv kimyəvi maddələrə güclü müqavimət göstərir, silisium karbid materialları ilə potensial qarşılıqlı əlaqəni azaldır və arzuolunmaz çirklərin qarşısını alır.

Təkmilləşdirilmiş Davamlılıq və Ömür:TaC örtüyü qrafit substratı üzərində sərt, qoruyucu təbəqə təmin etməklə komponentin ömrünü əhəmiyyətli dərəcədə uzadır. Bu, əməliyyat müddətini uzadır, texniki xidmət tezliyini minimuma endirir və dayanma müddətini azaldır, nəticədə istehsal səmərəliliyini optimallaşdırır.

Termal şok müqaviməti:Tantal karbid hətta sürətli temperatur dəyişikliklərində belə sabitliyini qoruyur, bu, idarə olunan temperatur dalğalanmalarının ümumi olduğu SiC kristalının böyümə mərhələlərində həyati əhəmiyyət kəsb edir.

Aşağı çirklənmə potensialı:Son SiC kristallarının qüsursuz olmasını təmin etmək üçün kristal istehsalında materialın təmizliyini qorumaq çox vacibdir. TaC-nin inert təbiəti kristal böyümə mühitini qoruyaraq arzuolunmaz kimyəvi reaksiyaların və ya çirklənmənin qarşısını alır.

Texniki Spesifikasiyalar:

Əsas material:Yüksək təmizlikli qrafit, ölçü dəqiqliyi üçün dəqiqliklə işlənmişdir.

Kaplama materialı:Tantal karbid (TaC) qabaqcıl kimyəvi buxar çökmə (CVD) üsullarından istifadə edərək tətbiq olunur.

İşləmə Temperatur Aralığı:3800°C-ə qədər olan temperaturlara tab gətirə bilir.

Ölçülər:Xüsusi soba tələblərinə cavab vermək üçün fərdiləşdirilə bilər.

Saflıq:Böyümə zamanı SiC materialları ilə minimal qarşılıqlı əlaqəni təmin etmək üçün yüksək təmizlik.

Semicorex Tantal Carbide Part, xüsusilə SiC kristal artım tətbiqləri üçün hazırlanmış əla istilik və kimyəvi davamlılığı ilə seçilir. Yüksək keyfiyyətli TaC örtüklü komponentləri daxil etməklə biz müştərilərimizə üstün kristal keyfiyyətinə, təkmilləşdirilmiş istehsal səmərəliliyinə və aşağı əməliyyat xərclərinə nail olmaqda kömək edirik. Bütün yarımkeçiricilər istehsalı ehtiyaclarınız üçün sənayedə aparıcı həllər təmin etmək üçün Semicorex təcrübəsinə etibar edin.