Alüminium nitrid substratları

Semikorex alüminium nitrit substratlarının tərifləri, silikon əsaslı alüminium nitridi şablonlarına işarədir. 5G dövrünün dövrü olduğu kimi, yüksək tezlikli tətbiqlər sürətlə sürətlənir. 5G şəbəkələrinin genişlənməsi və inkişafı daha yüksək əməliyyat tezliyi ilə yanaşı daha çox tezlikli lentlər üçün tələbləri itələyir. Dalğa özünəməxsus şəkildə RF filtrlərinin həm miqdarı, həm də keyfiyyətində mütənasib qaldırılmış tələblər var. Yüksək performanslı RF filtr istehsal sənayesinin yüksək keyfiyyətli olan paseelektrik substrat materialları üçün vacib bir tələb olduğunu təmin etmək.

Ultra geniş bandgap yarımkeçiricisi alüminium nitridi substratları, bir çox görkəmli xüsusiyyətlərə görə, elektronika və optoelektronikada qabaqcıl istifadə üçün potensial bir material olaraq çoxsaylı xüsusiyyətlər səbəbindən böyük bir tətbiq potensialının bir materialıdır. 6.2-ə qədər olan bandGap, yüksək sahə parçalanması, yüksək doyma elektron sürüşmə sürəti, kimyəvi və istilik sabitliyi üçün güc tələbini nümayiş etdirir. həm də üstün istilik keçiriciliyi və radiasiya müqaviməti. Bu xüsusiyyətlər, xüsusən 5G rabitə texnologiyalarında yüksək effektiv elektron cihazlarda əvəzsiz bir material hazırlayır.

Sink Oksid (ZNO) kimi ənənəvi piezoelektrik materiallar ilə müqayisədə, liderlik titanlığı (PZT) və litium tantalat / litium niobate (lt / ln), alüminium nitridi substratları, onları 5G RF filtrləri üçün yüksək səviyyədə uyğunlaşdıran müstəsna xüsusiyyətləri nümayiş etdirir. Bu xüsusiyyətlərə yüksək elektrik müqaviməti, əla istilik keçiriciliyi, üstün sabitlik və ultra sürətli bir akustik dalğa yayılması sürəti daxildir. Xüsusilə, ALN-nin uzunlamasına dalğalı sürəti təxminən 11.000 m / s-ə çatır, eninə dalğa sürəti isə 6000 m / s-ə çatır. Bu xüsusiyyətlər ALN, yüksək performanslı səth akustik dalğa (mişar), toplu akustik dalğa (Baw) və film toplu akustik rezonator (FBAR) rf filtrləri üçün ən ideal piezoelektrik materiallardan biri kimi.

Alüminium nitridi substratları, ilk növbədə 5G RF ön filtrlərində piezoelektrik material bazarı üçün hazırlanmışdır. Bu məhsulun keyfiyyəti və əsas parametrləri, səlahiyyətli üçüncü tərəf qurumları və gofret səviyyəli emal qiymətləndirmələri ilə ciddi şəkildə sınaqdan keçirilmiş və yoxlanılmışdır. Bu qiymətləndirmələr məhsulun görüşdüyünü və hətta beynəlxalq standartları aşdığını təsdiqlədi. Bundan əlavə, genişmiqyaslı istehsal üçün tələb olunan texnologiya artıq qurulmuş, sabit kütləvi istehsal və bazar tələblərini ödəmək üçün tədarükü təmin edir.

5G şəbəkələrinin yerləşdirilməsi, tezlik lentlərinin artan sayını idarə etmək üçün yüksək səmərəli və etibarlı RF filtrlərinin istifadəsini zəruri edir. ALN substratları, RF-nin ön səviyyəli modullarında zəruri komponentlər olan mişar, baw və FBAR filtrlərinin uydurmasında kritik rol oynayır. Bu filtrlər, smartfonlar, baza stansiyaları və iot tətbiqləri kimi 5G rabitə cihazlarında hamar və yüksək sürətli məlumat ötürülməsini təmin edərək dəqiq tezlikli seçim, siqnal gücləndiricisi və müdaxilənin azaldılmasına imkan verir.

Üstəlik, alüminium nitridi substratları yalnız RF filtrləri ilə məhdudlaşmır. Bunlar, həmçinin enerji elektronikasında, yüksək tezlikli tranzistorlarda, optoelektron cihazlarında və peyk rabitəsində də perspektivli tətbiqlər var. Yüksək gərginliklərə tab gətirmək və ekstremal şəraitdə fəaliyyət göstərmək, onları növbəti nəsil elektron komponentlər üçün cəlbedici bir seçim halına gətirir.