Yarımkeçirici üçün PSS aşındırıcı daşıyıcı lövhə

Yarımkeçiricilər üçün Semicorex PSS Aşınma Daşıyıcı Plate, epitaksial böyümə və vafli ilə işləmə prosesləri üçün tələb olunan yüksək temperatur və sərt kimyəvi təmizləmə mühitləri üçün xüsusi olaraq hazırlanmışdır. Yarımkeçiricilər üçün ultra təmiz PSS Ovma Daşıyıcı Plitəmiz MOCVD və epitaksiya ləvazimatları, pancake və ya peyk platformaları kimi nazik təbəqənin çökmə mərhələlərində vafliləri dəstəkləmək üçün nəzərdə tutulmuşdur. SiC örtüklü daşıyıcımız yüksək istilik və korroziya müqavimətinə, əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə və yüksək istilik keçiriciliyinə malikdir. Biz müştərilərimizə sərfəli həllər təqdim edirik və məhsullarımız bir çox Avropa və Amerika bazarlarını əhatə edir. Semicorex Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyir.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

Semicorex-dən Yarımkeçiricilər üçün PSS Qrafik Daşıyıcı Plitəsi, MOCVD, epitaksiya həssasları, pancake və ya peyk platformaları kimi nazik təbəqənin çökmə mərhələləri və aşındırma kimi vafli emal üçün ideal həlldir. Ultra təmiz qrafit daşıyıcımız vafliləri dəstəkləmək və sərt kimyəvi təmizləmə və yüksək temperatur mühitlərinə tab gətirmək üçün nəzərdə tutulmuşdur. SiC örtüklü daşıyıcı yüksək istilik və korroziya müqavimətinə, əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə və yüksək istilik keçiriciliyinə malikdir. Məhsullarımız sərfəli qiymətə malikdir və yaxşı qiymət üstünlüyünə malikdir.

Yarımkeçiricilər üçün PSS Aşınma Daşıyıcı Plitəsi haqqında daha çox məlumat əldə etmək üçün bu gün bizimlə əlaqə saxlayın.

Yarımkeçirici üçün PSS aşındırıcı daşıyıcı lövhənin parametrləri

CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri
SiC-CVD Xüsusiyyətləri
Kristal strukturu	FCC β fazası
Sıxlıq	q/sm³	3.21
Sərtlik	Vickers sərtliyi	2500
Taxıl ölçüsü	μm	2~10
Kimyəvi Saflıq	%	99.99995
İstilik tutumu	J kq-1 K-1	640
Sublimasiya temperaturu	℃	2700
Feleksual Gücü	MPa (RT 4 bal)	415
Gəncin Modulu	Gpa (4pt əyilmə, 1300℃)	430
Termal Genişlənmə (C.T.E)	10-6K-1	4.5
İstilik keçiriciliyi	(Vt/mK)	300