Üç növ oksidləşmə prosesinə giriş

Oksidləşmə prosesi oksidanlar (məsələn, oksigen, su buxarı) və silikonda istilik enerjisi vermək prosesinə aiddirgofret, silikon və oksidantlar arasında kimyəvi bir reaksiyaya səbəb olan qoruyucu silikon dioksid (Sio₂) filmi meydana gətirməsi.

Üç növ oksidləşmə prosesi

1.Dry oksidləşmə:

Quru oksidləşmə prosesində, gofrets, oksidləşmə üçün təmiz o₂ ilə zənginləşdirilmiş yüksək temperaturlu bir mühitə məruz qalır. Quru oksidləşmə yavaş-yavaş gəlir, çünki oksigen molekulları su molekullarından daha ağırdır. Bununla birlikdə, bu daha yüksək keyfiyyətli oksid təbəqələrinin istehsalı üçün faydalıdır, çünki bu daha yavaş dərəcəli filmin qalınlığına daha dəqiq nəzarət təmin edir. Bu proses hidrogen kimi arzuolunmaz olan bir məhsul istehsal edən bir homojen, yüksək sıxlıqlı Sio₂ filmini istehsal edə bilər. Mosfet qapı oksidləri kimi oksidi qalınlığı və keyfiyyəti ilə dəqiq nəzarət tələb edən cihazlarda nazik oksid təbəqələrinin istehsalına uyğundur.

2.Ot Oksidləşmə:

Yaş oksidləşmə silikon su buxarına silikon və silikon dioksid (Sio₂) meydana gətirmək üçün silikon və buxar arasında kimyəvi bir reaksiyaya səbəb olan yüksək temperaturlu su buxarına məruz qalmaqla fəaliyyət göstərir. Bu proses aşağı vahidlik və sıxlığı olan oksidi təbəqələri istehsal edir və ümumiyyətlə əsas prosesdə istifadə edilməyən H₂ kimi arzuolunmaz yan məhsullar istehsal edir. Bunun səbəbi, oksidi filminin artım tempi daha sürətli, çünki su buxarının reaktivliyi təmiz oksigendən daha yüksəkdir. Buna görə də nəm oksidləşmə ümumiyyətlə yarımkeçirici istehsalın əsas proseslərində istifadə edilmir.

3.qradik oksidləşmə:  

Radikal oksidləşmə prosesində silikon vafi yüksək temperatura qədər qızdırılır, bu nöqtədə oksigen atomları və hidrogen molekulları yüksək aktiv radikal qazlar yaratmaq üçün birləşir. Bu qazlar sio₂ filmi yaratmaq üçün silikon vafleri ilə reaksiya verir.

Oksidləşmə prosesi oksidanlar (məsələn, oksigen, su buxarı) və silikonda istilik enerjisi vermək prosesinə aiddir