Monokristal Silikon Epitaksial Suseptor

Qrafit epitaksisi və vafli ilə işləmə prosesi üçün mükəmməl olan Semicorex ultra təmiz Monokristal Silikon Epitaksial Susseptor minimal çirklənməni təmin edir və müstəsna olaraq uzun ömürlü performans təmin edir. Məhsullarımız yaxşı qiymət üstünlüyünə malikdir və bir çox Avropa və Amerika bazarlarını əhatə edir. Çində uzunmüddətli tərəfdaşınız olmağı səbirsizliklə gözləyirik.

Sorğu göndərin

Məhsul təsviri

Semicorex Monokristal Silikon Epitaksial Suseptor yüksək istilik və korroziyaya davamlılığa malik yüksək təmizlənmiş SiC ilə örtülmüş qrafit məhsuludur. CVD silisium karbid örtüklü daşıyıcı yüksək istilik keçiriciliyinə və əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə malik olan yarımkeçirici vaflilərdə epitaksial təbəqə meydana gətirən proseslərdə istifadə olunur.
Bizim Monokristal Silikon Epitaksial Susseptorumuz istilik profilinin bərabərliyini təmin edərək ən yaxşı laminar qaz axını modelinə nail olmaq üçün nəzərdə tutulmuşdur. Bu, vafli çipində yüksək keyfiyyətli epitaksial böyüməni təmin edərək, hər hansı çirklənmənin və ya çirklərin yayılmasının qarşısını almağa kömək edir.
Monokristal Silikon Epitaksial Susseptorumuz haqqında daha çox öyrənmək üçün bu gün bizimlə əlaqə saxlayın.

Monokristal Silikon Epitaksial Suseptorun Parametrləri

CVD-SIC Kaplamasının Əsas Xüsusiyyətləri
SiC-CVD Xüsusiyyətləri
Kristal strukturu	FCC β fazası
Sıxlıq	q/sm³	3.21
Sərtlik	Vickers sərtliyi	2500
Taxıl ölçüsü	μm	2~10
Kimyəvi Saflıq	%	99.99995
İstilik tutumu	J kq-1 K-1	640
Sublimasiya temperaturu	℃	2700
Feleksual Gücü	MPa (RT 4 bal)	415
Gəncin Modulu	Gpa (4pt əyilmə, 1300℃)	430
Termal Genişlənmə (C.T.E)	10-6K-1	4.5
İstilik keçiriciliyi	(Vt/mK)	300

Monokristalin Silikon Epitaksial Suseptorun Xüsusiyyətləri

- Həm qrafit substratı, həm də silisium karbid təbəqəsi yaxşı sıxlığa malikdir və yüksək temperaturda və aşındırıcı iş mühitlərində yaxşı qoruyucu rol oynaya bilər.
- Tək kristalların böyüməsi üçün istifadə edilən silisium karbid örtüklü suseptor çox yüksək səth düzlüyünə malikdir.
- Qrafit substratı və silisium karbid təbəqəsi arasında istilik genişlənmə əmsalı fərqini azaldın, çatlama və delaminasiyanın qarşısını almaq üçün yapışma gücünü effektiv şəkildə yaxşılaşdırın.
- Həm qrafit substratı, həm də silisium karbid təbəqəsi yüksək istilik keçiriciliyinə və əla istilik paylama xüsusiyyətlərinə malikdir.
- Yüksək ərimə nöqtəsi, yüksək temperaturda oksidləşmə müqaviməti, korroziyaya davamlılıq.