Horizontal SiC Wafer Boat

Semicorex Horizontal SiC Gofret Qayığının müəyyənedici xüsusiyyəti, müxtəlif yüksək temperatur proseslərində vafliləri yerində etibarlı şəkildə saxlamaq üçün xüsusi olaraq hazırlanmış, diqqətlə hazırlanmış yivli arxitekturasıdır. Bu dəqiq gofret məhdudiyyəti bir neçə kritik funksiyaya xidmət edir:

Gofret Hərəkətinin aradan qaldırılması:Arzuolunmaz sürüşmənin və ya yerdəyişmənin qarşısını alaraq, Horizontal SiC Gofret qayığı emal qazlarına və temperatur profillərinə davamlı olaraq məruz qalmağı təmin edir, vaflinin yüksək vahid emalına kömək edir və qüsur riskini minimuma endirir.

Təkmilləşdirilmiş proses vahidliyi:Ardıcıl vafli yerləşdirmə birbaşa təbəqənin qalınlığı, qatqı konsentrasiyaları və səth morfologiyası kimi kritik parametrlərdə üstün vahidliyə çevrilir. Bu dəqiqlik kimyəvi buxar çökmə (CVD) və diffuziya kimi tətbiqlərdə xüsusilə vacibdir, burada hətta kiçik dəyişikliklər də cihazın işinə əhəmiyyətli dərəcədə təsir göstərə bilər.

Azaldılmış vafli ziyanı:Horizontal SiC Gofre Boat-ın etibarlı saxlanması yüksək məhsuldarlığı qorumaq və istehsal xərclərini azaltmaq üçün vacib olan daşıma və daşıma zamanı vaflinin qırılması, qırılması və ya cızılması potensialını minimuma endirir.

Dəqiq dizaynından əlavə, Horizontal SiC Wafer Boat, onu yarımkeçiricilər və fotovoltaik istehsal üçün ideal hala gətirən maddi xüsusiyyətlərin cəlbedici birləşməsini təklif edir:

Həddindən artıq temperatur müqaviməti: Horizontal SiC Wafer Boat müstəsna yüksək temperatur gücü və sabitliyi nümayiş etdirir ki, bu da ona kristal böyüməsi, yumşalma və sürətli termal emal (RTP) kimi proseslər zamanı rast gəlinən ekstremal istilik şəraitinə deformasiya və ya deqradasiya olmadan tab gətirməyə imkan verir.

Çirklənməyə Nəzarət üçün Ultra Yüksək Saflıq:Yüksək təmizlikli SiC-dən istifadə minimal qaz atılmasını və ya hissəciklərin əmələ gəlməsini təmin edir, həssas vafli səthlərin bütövlüyünü qoruyur və cihazın işinə xələl gətirə biləcək çirklənmənin qarşısını alır.

Müstəsna Kimyəvi Sabitlik:SiC-nin xas inertliyi Horizontal SiC Wafer Boat-ı yarımkeçirici və fotovoltaik istehsalda geniş istifadə olunan korroziyalı qazların və kimyəvi maddələrin hücumuna qarşı yüksək davamlı edir. Bu möhkəm kimyəvi dayanıqlıq uzun müddət işləmə müddətini təmin edir və proseslər arasında çarpaz çirklənmə riskini minimuma endirir.

Horizontal SiC Wafer Boat-ın çox yönlüliyi və performans üstünlükləri onun bir sıra kritik yarımkeçirici və fotovoltaik istehsal proseslərində geniş tətbiqinə səbəb oldu:

Epitaksial böyümə:Qabaqcıl yarımkeçirici cihazlarda yüksək keyfiyyətli epitaksial təbəqələrə nail olmaq üçün vaflinin dəqiq yerləşdirilməsi və temperaturun vahidliyi çox vacibdir və Horizontal SiC Wafer Boat bu proses üçün vacib alətə çevrilir.

Diffuziya və ion implantasiyası:Yarımkeçirici cihazların elektrik xüsusiyyətlərinin müəyyən edilməsində dəqiq dopinq nəzarəti mühüm əhəmiyyət kəsb edir. Horizontal SiC Wafer Boat, bu proseslər zamanı vaflinin dəqiq yerləşdirilməsini təmin edərək, təkmilləşdirilmiş vahidliyə və cihazın performansına səbəb olur.

Günəş batareyası istehsalı:Horizontal SiC Wafer Boat-ın yüksək temperatur imkanları və kimyəvi müqaviməti onu fotovoltaik hüceyrələrdə istifadə edilən silikon vaflilərin emalı üçün ideal hala gətirir və günəş enerjisi sistemlərinin səmərəliliyinin və uzunömürlülüyünün artmasına kömək edir.