Aixtron G5 üçün 6'' gofret daşıyıcısı

Semicorex 6'' Aixtron G5 üçün vafli daşıyıcısı, tez-tez susseptorlar olaraq adlandırılır, yüksək temperaturda emal zamanı yarımkeçirici vafliləri etibarlı şəkildə saxlamaqla mühüm rol oynayır. Qəbuledicilər vaflilərin sabit vəziyyətdə qalmasını təmin edir ki, bu da təbəqənin vahid çökməsi üçün çox vacibdir:

Termal İdarəetmə:

Aixtron G5 üçün 6'' Gofret Daşıyıcısı yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici təbəqələrin yaradılması üçün istifadə olunan epitaksial böyümə prosesləri üçün vacib olan vafli səthi boyunca vahid istilik və soyutma təmin etmək üçün nəzərdə tutulmuşdur.

Epitaksial böyümə:

SiC və GaN qatları:

Aixtron G5 platforması ilk növbədə SiC və GaN təbəqələrinin epitaksial böyüməsi üçün istifadə olunur. Bu təbəqələr yüksək elektron hərəkətli tranzistorların (HEMTs), LED-lərin və digər qabaqcıl yarımkeçirici cihazların istehsalında əsasdır.

Dəqiqlik və vahidlik:

Epitaksial böyümə prosesində tələb olunan yüksək dəqiqlik və vahidlik Aixtron G5 üçün 6'' Gofret Daşıyıcısının müstəsna xüsusiyyətləri ilə asanlaşdırılır. Daşıyıcı yüksək performanslı yarımkeçirici cihazlar üçün lazım olan ciddi qalınlığa və tərkib vahidliyinə nail olmağa kömək edir.

Faydaları:

Yüksək temperatur sabitliyi:

Həddindən artıq temperatura dözümlülük:

Aixtron G5 üçün 6'' Gofret Daşıyıcısı çox vaxt 1600°C-dən çox yüksək temperaturlara dözə bilir. Bu sabitlik uzun müddət davamlı yüksək temperatur tələb edən epitaksial proseslər üçün çox vacibdir.

İstilik bütövlüyü:

Aixtron G5 üçün 6'' Gofret Daşıyıcısının belə yüksək temperaturlarda struktur bütövlüyünü qorumaq qabiliyyəti ardıcıl performansı təmin edir və yarımkeçirici təbəqələrin keyfiyyətinə xələl gətirə biləcək istilik deqradasiyası riskini azaldır.

Əla istilik keçiriciliyi:

İstilik paylanması:

SiC-nin yüksək istilik keçiriciliyi vafli səthi boyunca səmərəli istilik ötürülməsini asanlaşdırır və vahid temperatur profilini təmin edir. Bu vahidlik epitaksial təbəqələrdə qüsurlara və qeyri-bərabərliyə səbəb ola biləcək istilik qradiyentlərinin qarşısını almaq üçün çox vacibdir.

Təkmilləşdirilmiş Prosesə Nəzarət:

Təkmilləşdirilmiş istilik idarəetmə epitaksial böyümə prosesinə daha yaxşı nəzarət etməyə imkan verir, daha az qüsurlu yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici təbəqələrin istehsalına imkan verir.

Kimyəvi Müqavimət:

Aşındırıcı mühitə uyğunluq:

Aixtron G5 üçün 6'' Gofret Daşıyıcısı hidrogen və ammonyak kimi CVD proseslərində istifadə olunan korroziyalı qazlara müstəsna müqavimət göstərir. Bu müqavimət qrafit substratını kimyəvi hücumdan qorumaqla vafli daşıyıcıların ömrünü uzadır.

Azaldılmış Baxım Xərcləri:

Aixtron G5 üçün 6'' Gofret Daşıyıcısının davamlılığı texniki xidmət və dəyişdirmə tezliyini azaldır, bu da əməliyyat xərclərinin azalmasına və Aixtron G5 avadanlığının işləmə müddətinin artmasına səbəb olur.

Aşağı Termal Genişlənmə əmsalı (CTE):

Minimum Termal Stress:

SiC-nin aşağı CTE, epitaksial böyümə proseslərinə xas olan sürətli isitmə və soyutma dövrləri zamanı termal stressi minimuma endirməyə kömək edir. İstilik gərginliyindəki bu azalma vafli krekinq və ya əyilmə ehtimalını azaldır ki, bu da cihazın sıradan çıxmasına səbəb ola bilər.

Aixtron G5 avadanlığı ilə uyğunluq:

Fərdi Dizayn:

Aixtron G5 üçün Semicorex 6'' Gofret Daşıyıcısı optimal performansı və qüsursuz inteqrasiyanı təmin edərək, Aixtron G5 avadanlığı ilə uyğun olmaq üçün xüsusi olaraq hazırlanmışdır.

Maksimum Performans:

Bu uyğunluq Aixtron G5 sisteminin məhsuldarlığını və səmərəliliyini maksimum dərəcədə artırır və ona müasir yarımkeçirici istehsal proseslərinin tələblərinə cavab verməyə imkan verir.