SiC örtüklü düz reseptor

SemicorexSiC örtükFlat Susceptor yarımkeçirici istehsalında epitaksial böyümə prosesləri üçün nəzərdə tutulmuş əsas vafli tutucudur. Substratlar üzərində epitaksial təbəqələrin çökdürülməsini dəstəkləmək üçün xüsusi olaraq hazırlanmış bu sensor LED cihazları, yüksək güclü cihazlar və RF rabitə texnologiyaları kimi yüksək performanslı tətbiqlər üçün idealdır. CVD (Kimyəvi Buxar Çöküntüsü) texnikasından istifadə edərək, o, silikon substratlarda GaAs, keçirici SiC substratlarında SiC və yarıizolyasiya edən SiC substratlarında GaN kimi kritik təbəqələrin dəqiq böyüməsini təmin edir.

Gofret istehsalı prosesi zamanı bəzi vafli substratlar cihazların istehsalını asanlaşdırmaq üçün epitaksial təbəqələri daha da qurmalıdır. Tipik nümunələr arasında silikon substratlarda GaAs epitaksial təbəqələrinin hazırlanmasını tələb edən LED işıq yayan qurğular; SiC epitaksial təbəqələri yüksək gərginlik, yüksək cərəyan və digər güc tətbiqləri üçün SBD və MOSFET kimi cihazları qurmaq üçün keçirici SiC substratlarında yetişdirilir; GaN epitaksial təbəqələri rabitə və digər radiotezlik tətbiqləri üçün HEMT və digər cihazları daha da qurmaq üçün yarı izolyasiya edən SiC substratları üzərində qurulur. Bu proses CVD avadanlığından ayrılmazdır.

CVD avadanlıqlarında substratı birbaşa metalın üzərinə və ya sadəcə epitaksial çökmə üçün bazaya yerləşdirmək olmaz, çünki o, qaz axınının istiqaməti (üfüqi, şaquli), temperatur, təzyiq, fiksasiya və düşən çirkləndiricilər kimi müxtəlif amilləri əhatə edir. Buna görə də, bir baza lazımdır, sonra substrat bir qaba qoyulur və sonra epitaksial çöküntü istifadə edərək substratda həyata keçirilir.CVD texnologiyası. Bu əsas SiC ilə örtülmüş qrafit bazadır (həmçinin nimçə deyilir).

Tətbiqlər

TheSiC örtükFlat Susceptor müxtəlif tətbiqlər üçün müxtəlif sənayelərdə istifadə olunur:

LED İstehsalı: GaAs əsaslı LED-lərin istehsalında, sensor CVD prosesi zamanı silikon substratları saxlayır və GaAs epitaksial təbəqəsinin dəqiq şəkildə yerləşdirilməsini təmin edir.

Yüksək Güclü Qurğular: SiC əsaslı MOSFETlər və Schottky Baryer Diodları (SBDs) kimi cihazlar üçün susseptor yüksək gərginlikli və yüksək cərəyan tətbiqləri üçün vacib olan keçirici SiC substratlarında SiC təbəqələrinin epitaksial artımını dəstəkləyir.

RF Rabitə Qurğuları: Yarımizolyasiya edən SiC substratlarında GaN HEMT-lərin işlənib hazırlanmasında susseptor yüksək tezlikli və yüksək performanslı RF tətbiqləri üçün vacib olan dəqiq təbəqələrin yetişdirilməsi üçün lazım olan sabitliyi təmin edir.

SiC örtük Flat Susceptor-un çox yönlü olması onu bu müxtəlif tətbiqlər üçün epitaksial təbəqələrin böyüməsində mühüm alətə çevirir.

MOCVD avadanlığının əsas komponentlərindən biri kimi, qrafit qəbuledicisi, nazik film materialının vahidliyini və saflığını birbaşa təyin edən substratın daşıyıcısı və qızdırıcı elementidir. Buna görə də onun keyfiyyəti epitaksial vaflilərin hazırlanmasına birbaşa təsir göstərir. Eyni zamanda, istifadə müddətlərinin artması və iş şəraitinin dəyişməsi ilə çox asan köhnəlməkdədir və istehlak materialıdır.

SiC örtük Flat Susceptor CVD prosesinin ciddi tələblərinə cavab vermək üçün nəzərdə tutulmuşdur:

• Optimallaşdırılmış qaz axını: Qəbuledicinin düz dizaynı epitaksial təbəqələrin vahid çökməsi üçün vacib olan substratın ətrafında ardıcıl qaz axını saxlamağa kömək edir.
• Temperatur nəzarəti: Yüksək istilik keçiriciliyi ilə SiC Coating Flat Susceptor çökmə prosesi zamanı temperaturun dəqiq idarə edilməsinə imkan verir. Bu, substratın istənilən material xüsusiyyətlərinə nail olmaq üçün vacib olan tələb olunan temperatur aralığında qalmasını təmin edir.
• Asan İdarəetmə: Süpürgənin düz, hamar səthi zərif vafliyə zərər vermədən və ya çirkləndiricilər daxil etmədən substratları idarə etməyi və yükləməyi/boşaltmağı asanlaşdırır.

Epitaksial böyümə üçün sabit, təmiz və termal cəhətdən səmərəli platforma təmin etməklə, SiC Coating Flat Susceptor CVD prosesinin ümumi performansını və məhsuldarlığını əhəmiyyətli dərəcədə yaxşılaşdırır.

SemicorexSiC örtükFlat Susceptor ən yüksək dəqiqlik və keyfiyyət standartlarına cavab vermək üçün hazırlanmışdır və kritik yarımkeçirici istehsal proseslərində üstün performansa zəmanət verir. Biz üstün yarımkeçirici cihazların istehsalını gücləndirən ardıcıl məhsullar, CVD sistemlərində etibarlı nəticələr təqdim etdiyimizi sübut edirik. Möhtəşəm kimyəvi müqavimət, müstəsna istilik idarəetməsi və misilsiz dayanıqlığı ilə Semicorex SiC Coating Flat Susceptor vafli epitaksiya proseslərini optimallaşdırmaq məqsədi daşıyan istehsalçılar üçün qəti seçim kimi seçilir.

Semicorex SiC Coating Flat Susceptor epitaksial artım tələb edən yarımkeçirici cihazların istehsalında əvəzsiz komponentdir. Onun üstün davamlılığı, istilik və kimyəvi streslərə qarşı müqaviməti və çökmə prosesi zamanı dəqiq şərtləri saxlamaq qabiliyyəti onu müasir CVD sistemləri üçün vacib edir. Semicorex SiC Coating Flat Susceptor ilə istehsalçılar çoxsaylı yarımkeçirici tətbiqlərdə əla performansa zəmanət verən ən yüksək keyfiyyətli epitaksial təbəqələrə nail olmaq üçün möhkəm həll yolu əldə edirlər. Optimal səmərəlilik və etibarlılıq üçün diqqətlə hazırlanmış məhsullarla istehsal prosesinizi yüksəltmək üçün Semicorex ilə tərəfdaş olun.