SiC örtüklü qrafit qab

Epitaksial avadanlıqların əsas komponenti kimiSiC örtüklü qrafit qab, epitaksial təbəqənin böyüməsinin istehsal səmərəliliyinə, vahidliyinə və qüsur dərəcəsinə birbaşa təsir göstərir.    

Qrafitin təmizlənməsi, dəqiq emal və təmizləmə müalicəsi vasitəsilə qrafit substratın səthi hissəciklərin çirklənməsi riskindən uğurla qaçaraq əla düzlük və hamarlığa nail ola bilər. Kimyəvi buxarın çökməsi vasitəsilə qrafit substratın səthi reaktiv qazla kimyəvi reaksiyaya məruz qalır və sıx, məsaməsiz və bərabər qalın silisium karbid (SiC) örtüyü yaradır. Substratın hazırlanmasından örtük emalına qədər bütün istehsal prosesi yarımkeçiricilər üçün uyğun təmizlik standartlarına cavab verən 100-cü sinif təmiz otaqda həyata keçirilir.

Yüksək təmizlikdə aşağı çirkli qrafit və SiC materiallarından hazırlanmış SiC örtüklü qrafit qab, əla istilik keçiriciliyinə və aşağı istilik genişlənmə əmsalına malikdir. O, nəinki SiC ilə örtülmüş qrafit qaba istiliyi sürətlə və bərabər şəkildə ötürməyə imkan verir, epitaksial təbəqənin böyümə keyfiyyətini yaxşılaşdırır, həm də istilik stresi səbəbindən örtüyün tökülməsi və ya çatlama riskini effektiv şəkildə azaldır. Bundan əlavə, vahid və sıx SiC örtüyü yüksək temperatura, oksidləşməyə və korroziyaya davamlıdır, yüksək temperatur və aşındırıcı qaz şəraitində uzun müddət sabit işləməyi təmin edir.

SiC örtüklü qrafit qabı metal-üzvi kimyəvi buxar çökmə (MOCVD) avadanlığı ilə daha yüksək uyğunluğa malikdir. O, müxtəlif proses parametrlərinə və avadanlıq tələblərinə uyğunlaşmaq üçün dəqiq ölçülərə malikdir və dizayn edilmişdir. Semicorex həmişə dəyərli müştərilərimizə SiC ilə örtülmüş qrafit qabın müxtəlif ölçüləri, örtük qalınlığı və səthi pürüzlülük tələblərinə dəqiq cavab vermək üçün peşəkar xüsusi xidmətlər təklif etməkdə israrlıdır.