Tac örtüyünün SIC vahid bülluralmasında üstünlükləri

Hal-hazırda silikon karbid üçüncü nəsil yarımkeçiricilərin üstünlük təşkil edir. Silikon karbid cihazlarının dəyəri quruluşunda, substratlar 47%, epitaxy 23% -ə töhfə verir. Birlikdə, bu iki komponent, silikon karbid cihaz istehsal zəncirində onları çox vacib hala gətirərək ümumi istehsal dəyərinin təxminən 70% -ni təmsil edir. Nəticə etibarilə silikon karbidinin məhsuldarlığı nisbətinin yaxşılaşdırılması və bununla da substratların maya dəyərini azaltmaq, SIC cihaz istehsalında ən kritik problemlərdən birinə çevrildi.

Yüksək keyfiyyətli, yüksək məhsuldar hazırlamaqsilikon karbid substratları, istehsal temperaturunu dəqiq idarə etmək üçün daha yaxşı istilik sahələri materiallarına ehtiyac var. Hal-hazırda istifadə olunan termal sahə, Hal-hazırda istifadə olunan, temperaturu qoruyarkən ərimiş karbon və silikon tozlarını istiləşdirmək üçün işləyən yüksək saflıq qrafit quruluşundan ibarətdir. Qrafit materialları yüksək xüsusi güc və modul, əla istilik şok müqaviməti və yaxşı korroziyaya qarşı müqavimət göstərərkən, onlar da diqqətəlayiq mənfi cəhətləri də var: yüksək temperaturlu oksigen mühitində oksidləşməyə meyllidir, ammonyona dözə bilmirlər və zəif sıfır müqavimətinə malikdirlər. Bu məhdudiyyətlər silikon karbid vahid kristallarının böyüməsinə və qrafit materiallarının inkişafını və praktik tətbiqlərini məhdudlaşdıran silikon karbid epitaxial vafizlərin istehsalına mane olur. Nəticədə, tantal karbid kimi yüksək temperaturlu örtüklər dartma qazanır.

Tantal karbid örtüklü komponentlərin üstünlükləri

İstifadəediciTantal Carbide (Tac) örtükləriKristal kənar qüsurları ilə əlaqəli problemləri həll edə və kristal böyümənin keyfiyyətini artıra bilər. Bu yanaşma əsas texniki məqsədi ilə "daha sürətli, daha qalın və uzun" "nüvəli texniki məqsədi ilə uyğunlaşır. Sənaye tədqiqatları Tantalum karbidli örtüklü qrafit çarxlarının daha vahid istilik əldə edə biləcəyini, SIC vahid kristal böyüməsi üçün əla proses nəzarəti təmin edə və SIC kristallarının kənarlarında policrystalin meydana gəlməsini əhəmiyyətli dərəcədə azaldır. Əlavə olaraq,Tantalum karbid örtüyüİki əsas üstünlük təklif edir:

1. SIC qüsurları

SIC tək kristallarında qüsurları idarə etmək üçün adətən üç əsas strategiya var. Böyümə parametrlərini optimallaşdırmaqdan və yüksək keyfiyyətli mənbə materiallarından (məsələn, SIC mənbəyi tozu kimi) istifadə edərək, Tantalum karbid örtüklü qrafit çarxlarına keçid, daha yaxşı büllur keyfiyyətini də təbliğ edə bilər.

2. Qrafit çarmıxların həyatını artırır

SIC kristallarının dəyəri yüksək olaraq qaldı; qrafit istehlakçıları bu dəyəri təxminən 30% təşkil edir. Qrafit komponentlərinin xidmət həyatının artması, xərclərin azaldılması üçün vacibdir. İngilis tədqiqat qrupunun məlumatları Tantalum karbid örtüklərinin qrafit komponentlərinin xidmət həyatını 30-50% -ə qədər uzada biləcəyini göstərir. Bu məlumata əsasən, sadəcə ənənəvi qrafiti tantalum karbidli örtüklü qrafit ilə əvəz etmək, sic kristallarının dəyərini 9% -15% azalda bilər.

Semikorex yüksək keyfiyyətli təklif edirTantalum karbid örtülmüşdürCrucibles, həssas və digər xüsusi hissələr. Hər hansı bir sualınız varsa və ya əlavə məlumatlara ehtiyacınız varsa, zəhmət olmasa bizimlə əlaqə qurmaqdan çəkinməyin.

Əlaqə Telefon # + 86-13567891907

Email: sales@semmorex.com