Sic örtük boşqab

Semikorex SIC örtüklü boşqab, yüksək keyfiyyətli filmlər yaratmaq üçün sabit, yüksək saflıq substratları tələb edən epitaxial (EPI) böyümə avadanlıqları üçün hazırlanmış yüksək performanslı bir komponentdir. Bu, silikon karbid (SIC) ilə müqayisədə yüksək səviyyəli qrafit (SIC) ilə bərabər dərəcədə örtülmüş və sıx bir şəkildə örtülmüş, kimyəvi sabitlik və səthin səthi dayanıqlığı ilə birləşdirilmiş yüksək güclü qrafitin misilsiz istilik və mexaniki resenziyasına nail olmaqla, yüksək səviyyədə bir qrafit nüvəsidir. Semikorex SIC örtüklü boşqab, SIC və Gan da daxil olmaqla mürəkkəb yarımkeçiricilər üçün epitaksial proseslərin həddindən artıq sərtliyini təmin etmək üçün qurulmuşdur.

SIC örtülmüş plakanın qrafit nüvəsi görkəmli istilik keçiriciliyi, aşağı sıxlıq və üstün istilik şok müqavimətinə malikdir. Mükəmməl istilik keçiriciliyi ilə tarazlı qrafit nüvəsinin orta dərəcədə aşağı termal kütləsi, istiliyin yüksək sürətlə baş verdiyi bir prosesdə tez bir şəkildə isti bölgüsü üçün imkan verir. Kimyəvi buxarlanma (CVD) tərəfindən depozit qoyulan sic, sərtliyi, korroziya müqavimətini və kimyəvi inertliliyi artıran qoruyucu bir maneə təklif edir, hissəciklərin nəslini məhdudlaşdırır və ya qarşısını alır. Qrafit bazasının fiziki xüsusiyyətləri ilə birləşdirilmiş bu möhkəm elementar səth, çox az saflıq prosesi mühitini çox az və ya epitaksial təbəqələrdə qüsurlu riski olmadan çox yüksək səviyyədə əmin olun.

Ölçü dəqiq və səthi düzlük, həmçinin SIC örtülmüş boşqabın vacib xüsusiyyətləridir. Hər bir boşqab emal edilməsi və proses performansında vahidliyini və təkrarlılığı təmin etmək üçün sıx tolerantlıqlarla örtülmüşdür. Hamar və inert səthi, istenmeyen film çökməsi üçün nukleation saytlarını azaldır və boşqab səthi boyunca vafli vahidliyini artırır.

Epitaxial reaktorlarda, SIC örtüklü boşqab, adətən, bir istilik ötürmə mühiti olaraq işlənərək bir istilik ötürmə mühiti kimi bir istilik ötürmə və ya işləmə kimi bir termal qalxan kimi həyata keçirilir. Sabit performans büllur keyfiyyətinə, məhsuldarlığa və məhsuldarlığa birbaşa təsir edəcəkdir.