LPE SiC-Epi Yarım Ay

Avadanlıq komponentlərini qorumaq, çirklənmənin qarşısını almaq və ardıcıl proses şəraitini təmin etməklə, Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon yarımkeçirici sənayesinə texnoloji dünyamızı gücləndirən daha mürəkkəb və yüksək performanslı cihazlar istehsal etmək imkanı verir.

Bir çox materiallar yüksək temperaturda performansın azalmasına məruz qalır, lakin CVD TaC deyil. LPE SiC-Epi Halfmoon, müstəsna istilik sabitliyi və oksidləşməyə qarşı müqaviməti ilə, epitaksi reaktorlarında rast gəlinən yüksək temperaturlarda belə struktur cəhətdən sağlam və kimyəvi cəhətdən təsirsiz qalır. Bu, ardıcıl isitmə profillərini təmin edir, deqradasiyaya uğramış komponentlərdən çirklənmənin qarşısını alır və etibarlı kristal böyüməsini təmin edir. Bu möhkəmlik TaC-nin yüksək ərimə nöqtəsi (3800°C-dən çox) və oksidləşməyə və termal şoka qarşı müqavimətindən irəli gəlir.

Bir çox epitaksial proseslər, tərkib atomlarını böyüyən kristala çatdırmaq üçün silan, ammonyak və metalorqaniklər kimi reaktiv qazlara əsaslanır. Bu qazlar yüksək dərəcədə korroziyaya səbəb ola bilər, reaktor komponentlərinə hücum edə bilər və zərif epitaksial təbəqəni potensial olaraq çirkləndirə bilər. LPE SiC-Epi Halfmoon kimyəvi təhlükələrə qarşı müqavimət göstərir. Onun reaktiv qazlara xas təsirsizliyi l TaC qəfəsindəki güclü kimyəvi bağlardan qaynaqlanır və bu qazların örtüklə reaksiya verməsinin və ya yayılmasının qarşısını alır. Bu müstəsna kimyəvi müqavimət LPE SiC-Epi Yarımayı sərt kimyəvi emal mühitlərində komponentləri qorumaq üçün mühüm hissəyə çevirir.

Sürtünmə səmərəliliyin və uzunömürlülüyün düşmənidir. LPE SiC-Epi Yarım Ayın CVD TaC örtüyü aşınmaya qarşı əyilməz qalxan rolunu oynayır, sürtünmə əmsallarını əhəmiyyətli dərəcədə azaldır və əməliyyat zamanı material itkisini minimuma endirir. Bu müstəsna aşınma müqaviməti, hətta mikroskopik aşınmanın performansın əhəmiyyətli dərəcədə azalmasına və vaxtından əvvəl uğursuzluğa səbəb ola biləcəyi yüksək gərginlikli tətbiqlərdə xüsusilə dəyərlidir. LPE SiC-Epi Halfmoon bu arenada üstündür, hətta ən mürəkkəb həndəsələrin tam və qoruyucu təbəqə almasını təmin edərək, performansı və uzunömürlülüyü artıran müstəsna konformal örtük təklif edir.

CVD TaC örtüklərinin kiçik, ixtisaslaşmış komponentlərlə məhdudlaşdığı günlər geridə qaldı. Çökmə texnologiyasındakı irəliləyişlər 750 mm diametrə qədər olan substratlar üzərində örtüklər yaratmağa imkan verdi və daha çox tələbkar tətbiqləri idarə edə bilən daha böyük, daha möhkəm komponentlərə yol açdı.

LPE Reaktoru üçün 8 düymlük Yarım Ay Hissəsi

Epitaksiyada CVD TaC örtüklərinin üstünlükləri:

Təkmilləşdirilmiş Cihaz Performansı:Prosesin saflığını və vahidliyini qorumaqla, CVD TaC örtükləri təkmilləşdirilmiş elektrik və optik xassələrə malik yüksək keyfiyyətli epitaksial təbəqələrin böyüməsinə kömək edir və yarımkeçirici cihazlarda performansın artırılmasına səbəb olur.

Artan məhsuldarlıq və gəlir:CVD TaC ilə örtülmüş komponentlərin uzun ömür müddəti texniki xidmət və dəyişdirmə ilə bağlı dayanma müddətini azaldır, reaktorun işləmə müddətinin artmasına və istehsal həcminin artmasına səbəb olur. Bundan əlavə, çirklənmə riskinin azalması istifadə edilə bilən cihazların daha yüksək məhsuldarlığına çevrilir.

Xərc Effektivliyi:CVD TaC örtükləri daha yüksək ilkin qiymətə malik olsa da, onların uzun ömür müddəti, azaldılmış texniki xidmət tələbləri və təkmilləşdirilmiş cihaz məhsuldarlığı epitaksiya avadanlığının istismar müddəti ərzində əhəmiyyətli xərclərə qənaət etməyə kömək edir.