MOCVD sistemi nədir?

Metal-Üzvi Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (MOCVD) kimi tanınan MOCVD, substratda nazik yarımkeçirici filmlərin yetişdirilməsi üçün bir texnikadır. MOCVD ilə bir çox nano-laylar xüsusi optik və elektrik xassələri olan materiallar yaratmaq üçün hər biri idarə olunan qalınlığa malik böyük dəqiqliklə yerləşdirilə bilər.

MOCVD sistemi, materialın nazik təbəqələrini substrata yerləşdirmək üçün metal üzvi prekursorlardan istifadə edən bir növ kimyəvi buxar çökmə (CVD) sistemidir. Sistem reaktor qabından, qaz ötürmə sistemindən, substrat tutucusundan və temperatur nəzarət sistemindən ibarətdir. Metal üzvi prekursorlar daşıyıcı qazla birlikdə reaktor qabına daxil edilir və yüksək keyfiyyətli nazik təbəqənin böyüməsini təmin etmək üçün temperatur diqqətlə idarə olunur.

MOCVD-nin istifadəsi digər çökmə üsulları ilə müqayisədə bir sıra üstünlüklərə malikdir. Bir üstünlüyü ondan ibarətdir ki, o, nazik təbəqələrin qalınlığına və tərkibinə dəqiq nəzarət etməklə mürəkkəb materialların çökdürülməsinə imkan verir. Bu, nazik təbəqələrin material xüsusiyyətlərinin cihazın işinə əhəmiyyətli təsir göstərə biləcəyi yüksək performanslı yarımkeçirici cihazların istehsalı üçün xüsusilə vacibdir.

MOCVD-nin başqa bir üstünlüyü ondan ibarətdir ki, ondan silisium, sapfir və qallium arsenid də daxil olmaqla müxtəlif substratlara nazik filmlər qoymaq üçün istifadə oluna bilər. Bu çeviklik onu kompüter çiplərindən tutmuş LED-lərə qədər geniş çeşiddə yarımkeçirici cihazların istehsalında mühüm prosesə çevirir.

MOCVD sistemləri yarımkeçirici sənayesində geniş istifadə olunur və onlar bir çox qabaqcıl texnologiyaların inkişafında mühüm rol oynayıblar. Məsələn, MOCVD işıqlandırma və ekran tətbiqləri üçün yüksək effektiv LED-lər, həmçinin fotovoltaik tətbiqlər üçün yüksək məhsuldar günəş batareyaları istehsal etmək üçün istifadə edilmişdir.