- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Xəbərlər
3C-SiC-nin heteroepitaksisi: Baxış
Silikon karbidin əhəmiyyətli bir politipi olan 3C-SiC-nin inkişafı yarımkeçirici material elminin davamlı inkişafını əks etdirir. 1980-ci illərdə Nishino et al. ilk olaraq kimyəvi buxar çökdürmə (CVD) [1] istifadə edərək silikon substratda 4 μm qalınlığında 3C-SiC filmi əldə etdi və 3C-SiC nazik fil......
Daha çox oxu
Yüksək Təmizlikli CVD Qalın SiC: Material Artımı üçün Proses Insights
Tipik olaraq 1 mm-dən çox olan qalın, yüksək təmizlikli silisium karbid (SiC) təbəqələri yarımkeçiricilərin istehsalı və aerokosmik texnologiyaları da daxil olmaqla müxtəlif yüksək dəyərli tətbiqlərdə mühüm komponentlərdir. Bu məqalə bu cür təbəqələrin istehsalı üçün Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD) pr......
Daha çox oxu
Monokristal silikon və polikristal silisium
Tək kristal silisium və polikristal silikonun hər birinin özünəməxsus üstünlükləri və tətbiq oluna bilən ssenariləri var. Tək kristal silisium əla elektrik və mexaniki xüsusiyyətlərinə görə yüksək performanslı elektron məhsullar və mikroelektronika üçün uyğundur. Polikristal silisium isə aşağı qiymə......
Daha çox oxu
Substrat və epitaksiya
Gofretin hazırlanması prosesində iki əsas əlaqə var: biri substratın hazırlanması, digəri isə epitaksial prosesin həyata keçirilməsidir. Yarımkeçirici monokristal materialdan diqqətlə hazırlanmış vafli substrat, yarımkeçirici cihazların istehsalı üçün əsas kimi birbaşa vafli istehsal prosesinə qoyul......
Daha çox oxu
Kimyəvi Buxar Çöküntüsünün Anlanması (CVD): Hərtərəfli Baxış
Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD) müxtəlif substratlarda yüksək keyfiyyətli, konformal nazik təbəqələrin istehsalı üçün yarımkeçiricilər sənayesində geniş istifadə olunan çox yönlü nazik təbəqə çökmə üsuludur. Bu proses qaz prekursorlarının qızdırılan substrat səthinə kimyəvi reaksiyalarını əhatə edir v......
Daha çox oxu
