> Xəbərlər

Xəbərlər

Silikon vafli

Silikon material müəyyən yarımkeçirici elektrik xüsusiyyətlərinə və fiziki sabitliyə malik möhkəm materialdır və sonrakı inteqral sxem istehsalı prosesi üçün substrat dəstəyi təmin edir. Silikon əsaslı inteqral sxemlər üçün əsas materialdır. Dünyada yarımkeçirici cihazların 95%-dən çoxu və inteqral ......

Daha çox oxu

SiC Boats vs. Kvars Boats: Yarımkeçiricilər İstehsalında Hazırkı İstifadə və Gələcək Trendlər

Bu məqalədə silisium karbid (SiC) qayıqlarının yarımkeçirici sənayesində kvars qayıqları ilə əlaqədar istifadəsi və gələcək trayektoriyası araşdırılır, xüsusilə onların günəş batareyası istehsalında tətbiqlərinə diqqət yetirilir.

Daha çox oxu

SiC kəsmə

Silisium karbid (SiC) əla fiziki və kimyəvi xassələrinə görə yarımkeçirici sənayedə çox üstünlük təşkil edir. Bununla belə, SiC-nin yüksək sərtliyi və kövrəkliyi onun emalında xeyli çətinliklər yaradır.

Daha çox oxu

Gallium Nitride Epitaksial Gofretlər: İstehsal Prosesinə Giriş

Gallium Nitride (GaN) epitaksial vafli böyüməsi mürəkkəb bir prosesdir və çox vaxt iki addımlı bir üsuldan istifadə edir. Bu üsul yüksək temperaturda bişirmə, tampon təbəqəsinin böyüməsi, yenidən kristallaşma və tavlama daxil olmaqla bir neçə kritik mərhələni əhatə edir. Bu mərhələlər ərzində temper......

Daha çox oxu

Epitaksial və diffuz gofret arasındakı fərq nədir

Həm epitaksial, həm də yayılmış vaflilər yarımkeçiricilər istehsalında vacib materiallardır, lakin onlar istehsal proseslərində və hədəf tətbiqlərində əhəmiyyətli dərəcədə fərqlənirlər. Bu məqalə bu vafli növləri arasındakı əsas fərqləri araşdırır.

Daha çox oxu

Silikon Karbid Substrat Əsas Proses axını

Silisium karbid substratı iki elementdən, karbon və silisiumdan ibarət mürəkkəb yarımkeçirici monokristal materialdır. Böyük bant boşluğu, yüksək istilik keçiriciliyi, yüksək kritik parçalanma sahəsi gücü və yüksək elektron doyma sürüşmə sürəti xüsusiyyətlərinə malikdir.

Daha çox oxu

<...8 9 10 11 12...30 >