Tipik olaraq 1 mm-dən çox olan qalın, yüksək təmizlikli silisium karbid (SiC) təbəqələri yarımkeçiricilərin istehsalı və aerokosmik texnologiyaları da daxil olmaqla müxtəlif yüksək dəyərli tətbiqlərdə mühüm komponentlərdir. Bu məqalə bu cür təbəqələrin istehsalı üçün Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD) pr......
Daha çox oxuKimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD) müxtəlif substratlarda yüksək keyfiyyətli, konformal nazik təbəqələrin istehsalı üçün yarımkeçiricilər sənayesində geniş istifadə olunan çox yönlü nazik təbəqə çökmə üsuludur. Bu proses qaz prekursorlarının qızdırılan substrat səthinə kimyəvi reaksiyalarını əhatə edir v......
Daha çox oxuBu məqalədə silisium karbid (SiC) qayıqlarının yarımkeçirici sənayesində kvars qayıqları ilə əlaqədar istifadəsi və gələcək trayektoriyası araşdırılır, xüsusilə onların günəş batareyası istehsalında tətbiqlərinə diqqət yetirilir.
Daha çox oxuGallium Nitride (GaN) epitaksial vafli böyüməsi mürəkkəb bir prosesdir və çox vaxt iki addımlı bir üsuldan istifadə edir. Bu üsul yüksək temperaturda bişirmə, tampon təbəqəsinin böyüməsi, yenidən kristallaşma və tavlama daxil olmaqla bir neçə kritik mərhələni əhatə edir. Bu mərhələlər ərzində temper......
Daha çox oxuHəm epitaksial, həm də yayılmış vaflilər yarımkeçiricilər istehsalında vacib materiallardır, lakin onlar istehsal proseslərində və hədəf tətbiqlərində əhəmiyyətli dərəcədə fərqlənirlər. Bu məqalə bu vafli növləri arasındakı əsas fərqləri araşdırır.
Daha çox oxuAşınma yarımkeçiricilərin istehsalında vacib bir prosesdir. Bu prosesi iki növə bölmək olar: quru aşındırma və yaş aşındırma. Hər bir texnikanın öz üstünlükləri və məhdudiyyətləri var, bu da onların arasındakı fərqləri başa düşməyi vacib edir. Beləliklə, ən yaxşı aşındırma üsulunu necə seçirsiniz? Q......
Daha çox oxu