- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Xəbərlər
Silikon karbidin qısa tarixi və silisium karbid örtüklərinin tətbiqi
Silikon karbidin (SiC) tarixi 1891-ci ildə Edvard Qudrix Açeson süni almazları sintez etməyə çalışarkən təsadüfən kəşf etdiyi vaxta təsadüf edir. Açeson gil (alüminosilikat) və toz koks (karbon) qarışığını elektrik sobasında qızdırdı. Gözlənilən brilyantların əvəzinə o, karbona yapışan parlaq yaşıl ......
Daha çox oxu
GaN hazırlanmasında çətinliklər
Üçüncü nəsil yarımkeçirici material olaraq, Gallium Nitride tez-tez Silikon Karbid ilə müqayisə edilir. Qallium Nitridi hələ də böyük bant aralığı, yüksək parçalanma gərginliyi, yüksək istilik keçiriciliyi, yüksək doymuş elektron sürüşmə sürəti və güclü radiasiya müqaviməti ilə üstünlüyünü nümayiş e......
Daha çox oxu
Üçüncü Nəsil Yarımkeçiricilərə Giriş: GaN və Əlaqədar Epitaksial Texnologiyalar
GaN materialları mavi LED-lər üçün 2014-cü ildə Fizika üzrə Nobel Mükafatının verilməsindən sonra məşhurlaşdı. İlkin olaraq istehlakçı elektronikasında sürətli şarj tətbiqləri vasitəsilə ictimaiyyətin gözünə girən GaN əsaslı güc gücləndiriciləri və RF cihazları da 5G baza stansiyalarında kritik komp......
Daha çox oxu
Substrat və Epitaksiya: Yarımkeçirici İstehsalında Əsas Rollar
Yarımkeçirici texnologiya və mikroelektronika sahələrində substratlar və epitaksiya anlayışları mühüm əhəmiyyət kəsb edir. Onlar yarımkeçirici cihazların istehsal prosesində mühüm rol oynayırlar. Bu məqalə yarımkeçirici substratlar və epitaksiya arasındakı fərqləri araşdıracaq, onların təriflərini, ......
Daha çox oxu
Silikon Karbid (SiC) Substratlarının Əsas Parametrləri
Silikon Karbid (SiC) istehsal prosesi material tərəfdən substratın və epitaksiyanın hazırlanmasını, ardınca çip dizaynı və istehsalı, cihazın qablaşdırılması və nəhayət, aşağı axın tətbiqi bazarlarına paylanmasını əhatə edir. Bu mərhələlər arasında substrat materialının emalı SiC sənayesinin ən çəti......
Daha çox oxu
