- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Xəbərlər
Qrafit qayığın əsas texnologiyasının tətbiqi
Graphite Boat, performansı, təmizliyi və ömrünü artırmaq üçün nəzərdə tutulmuş əsaslı irəliləyişlər dəstini özündə əks etdirən sənayesində texnoloji yeniliklərin önündə dayanır. Aşağıda biz qrafit qayığın mükəmməlliyini müəyyən edən əsas texnologiyalara nəzər salırıq:
Daha çox oxu
PVT metodu ilə yüksək keyfiyyətli SiC kristal artımı üçün məsaməli qrafit
Silicon Carbide (SiC) yarımkeçirici texnologiya sahəsində əsas material kimi ortaya çıxdı və onu müxtəlif elektron və optoelektronik tətbiqlər üçün çox arzuolunan edən müstəsna xüsusiyyətlər təklif etdi. Yüksək keyfiyyətli SiC monokristallarının istehsalı güc elektronikası, LED-lər və yüksək tezlikl......
Daha çox oxu
Qrafitin qəliblənməsinin 3 üsulu
Qrafit qəlibləmə üçün dörd əsas qəlibləmə üsulu bunlardır: ekstruziya qəlibləmə, qəlibləmə, vibrasiyalı qəlibləmə və izostatik qəlibləmə. Bazarda ümumi karbon/qrafit materiallarının əksəriyyəti isti ekstruziya və qəlibləmə (soyuq və ya isti) ilə qəliblənir və izostatik qəlibləmə aparıcı qəlibləmə pe......
Daha çox oxu
İzostatik qrafit nədir?
Xüsusi qrafit, karbon kütləsi 99,99% -dən çox olan qrafitdir və "üç yüksək qrafit" (yüksək möhkəmlik, yüksək sıxlıq, yüksək təmizlik) kimi də tanınır. Yüksək möhkəmlik, yüksək sıxlıq, yüksək təmizlik, yüksək kimyəvi dayanıqlıq, yüksək istilik və elektrik keçiriciliyi, yüksək temperatur müqaviməti, r......
Daha çox oxu
Fiziki Buxar Nəqliyyatının (PVT) tətbiqi
SiC-nin öz xüsusiyyətləri onun monokristal böyüməsinin daha çətin olduğunu müəyyən edir. Atmosfer təzyiqində Si:C=1:1 maye fazasının olmaması səbəbindən yarımkeçirici sənayenin əsas axını tərəfindən qəbul edilən daha yetkin böyümə prosesi, daha yetkin böyümə metodu-düz çəkmə üsulu, enən pota ilə böy......
Daha çox oxu
850V Yüksək Güclü GaN HEMT Epitaksial Məhsullarını buraxdı
2023-cü ilin noyabr ayında Semicorex yüksək gərginlikli, yüksək cərəyanlı HEMT güc cihazı tətbiqləri üçün 850V GaN-on-Si epitaksial məhsulları buraxdı. HMET güc cihazları üçün digər substratlarla müqayisədə GaN-on-Si daha böyük vafli ölçülərə və daha çoxşaxəli tətbiqlərə imkan verir və o, həmçinin f......
Daha çox oxu
